[发明专利]一种多量子阱结构及采用该结构的发光二极管

权利要求书

1.一种多量子阱结构，其中至少一个量子阱结构包括：基于Ⅲ族氮化物的第一保护层、在第一保护层上的基于Ⅲ族氮化物的第一过渡层，在第一过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的阱层，在量子阱层上的基于Ⅲ族氮化物的第二过渡层，在第二过渡层上的基于Ⅲ族氮化物的第二保护层，以及在第二保护层上的基于Ⅲ族氮化物的垒层。

2.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一保护层或第二保护层由Al_aIn_bGa_1-a-bN组成，其中0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1。

3.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一保护层、第二保护层厚度为n、m，其中0＜n≤5nm、0＜m≤5nm。

4.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一保护层禁带宽度不小于第一过渡层中组成材料的禁带宽度。

5.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第二保护层禁带宽度不小于第二过渡层中组成材料的禁带宽度。

6.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一过渡层或第二过渡层由Al_pIn_qGa_1-p-qN组成，其中0≤p≤1，0≤q≤1，0≤p+q≤1。

7.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一过渡层或第二过渡层厚度为i、j，其中0≤i≤5nm、0≤j≤5nm，且i、j不同时为0。

8.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一过渡层在生长过程中，其生长温度从第一保护层生长温度降低到阱层生长温度，采用单调下降的方式降温。

9.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第二过渡层在生长过程中，其生长温度从阱层生长温度升高到第二保护层生长温度，采用单调上升的方式升温。

10.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第一过渡层的禁带宽度不大于第一保护层的禁带宽度且不小于阱层的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐减小。

11.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述第二过渡层的禁带宽度不大于第二保护层的禁带宽度且不小于阱层的禁带宽度，并且在生长过程中逐渐增大。

12.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述阱层由Al_xIn_yGa_1-x-yN组成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

13.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述阱层厚度为0~5nm。

14.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述垒层由Al_cIn_dGa_1-c-dN组成，其中0≤c≤1，0≤d≤1，0≤c+d≤1。

15.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述垒层厚度为0~50nm。

16.根据权利要求1所述的一种多量子阱结构，其特征在于：所述垒层为全部掺杂或部分掺杂，其掺杂浓度不大于5×10¹⁹cm^-3。

17.一种发光二极管，包括：N型导电层、P型导电层及夹在两者之间的发光区，其特征在于：所述发光层包含权利要求1至16中任一权利要求所述的多量子阱结构。