[发明专利]一种制备纳米碳化硅晶须的方法

权利要求书

1.一种制备纳米碳化硅晶须的方法，其特征在于包括如下步骤：

 (1) 按石墨烯与硅粉的质量比为0.01-100：1混合均匀后，在保护气氛或真空保护下，以升温速率为1-15℃/min升温至1000-2400℃，恒温为10-200 min进行烧结，烧结后以降温速率为1-15℃/min降温至室温； 

(2)高温反应结束后，取出样品在空气中于400-1200℃下煅烧，煅烧时间为5-300 min，将煅烧后的产物浸泡于氢氟酸与盐酸的混合酸中，氢氟酸与盐酸的摩尔比为0.5-10:1，混合酸处理时间为1-48 h；

(3)将步骤(2)得到的产物，用去离子水洗涤至pH=7后进行干燥处理，得到纳米碳化硅晶须。

2.如权利要求1所述的一种制备纳米碳化硅晶须的方法，其特征在于所述的石墨烯是通过机械剥离法、加热SiC法、石墨插层法、化学气相沉积法、氧化石墨还原法制备得到的石墨烯，或者由上述方法制备的石墨烯组装而成的二维及三维石墨烯宏观体。

3.如权利要求1所述的一种制备纳米碳化硅晶须的方法，其特征在于所述的硅粉为单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅。

4.如权利要求1所述的一种制备纳米碳化硅晶须的方法，其特征在于所述保护气氛为氮气、氩气、氦气、氨气或氢气。

5.如权利要求1所述的一种制备纳米碳化硅晶须的方法，其特征在于所述的干燥处理是在30-300℃下进行真空干燥，真空干燥时间为0.5-72 h。

6.如权利要求1所述的一种制备纳米碳化硅晶须的方法，其特征在于所述的干燥处理为-10～-50℃下进行冷冻干燥，冷冻干燥时间为10-48 h。