[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，具有如下工序：

对处于小于大气压的压力下的处理室内的加热后的衬底同时供给含氧气体和含氢气体，对所述衬底的表面进行前处理的工序；和

通过进行规定次数包含以下工序的循环而在进行了所述前处理的所述衬底上形成薄膜的工序，所述循环包含对所述处理室内的所述衬底供给原料气体的工序、和对所述处理室内的所述衬底供给反应气体的工序，

在所述进行前处理的工序中，使所述含氢气体相对于所述含氧气体及所述含氢气体的浓度为2％以上20％以下，通过将所述衬底的表面氧化，从而在所述衬底的表面上形成氧化层，

在所述形成薄膜的工序中，使所述薄膜堆积于在所述进行前处理的工序中所形成的所述氧化层上。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述供给反应气体的工序中，对处于小于大气压的压力下的所述处理室内的加热后的所述衬底同时供给含氧气体和含氢气体来作为所述反应气体，在所述形成薄膜的工序中，在所述进行前处理的工序中所形成的所述氧化层上作为所述薄膜而堆积氧化膜。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，使在所述进行前处理的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体时的处理条件，与在所述形成薄膜的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体时的处理条件不同。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，使在所述进行前处理的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体的时间，与在所述形成薄膜的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体的时间不同。

5.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，使在所述进行前处理的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体的时间，比在所述形成薄膜的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体的时间长。

6.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，使在所述进行前处理的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体时的含氢气体相对于含氧气体及含氢气体的浓度，与在所述形成薄膜的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体时的含氢气体相对于含氧气体及含氢气体的浓度不同。

7.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，使在所述进行前处理的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体时的含氢气体相对于含氧气体及含氢气体的浓度为，在所述形成薄膜的工序中对所述衬底供给含氧气体和含氢气体时的含氢气体相对于含氧气体及含氢气体的浓度以下。

8.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，所述氧化膜的厚度为10nm以下。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，使所述氧化层的厚度为0.01～1nm。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，硅在进行所述前处理之前的所述衬底的表面露出。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述薄膜包含半导体元素及金属元素中的至少任一种。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述薄膜包含SiO膜、SiN膜、SiON膜、SiCN膜、SiOCN膜、SiOC膜、SiBCN膜、及SiBN膜中的至少任一种。

13.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述反应气体包含选自含氧气体、含氮气体、含碳气体及含硼气体中的至少一种。