[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，配置于基板上，其特征在于该半导体结构包括：

顶栅极；

氧化物半导体通道层，配置于该顶栅极与该基板之间；

第一介电层，配置于该顶栅极与该氧化物半导体通道层之间；

第二介电层，配置于该第一介电层与该氧化物半导体通道层之间，其中该第一介电层的介电系数不同于该第二介电层的介电系数；以及

源极与漏极，配置于该氧化物半导体通道层的相对两侧，且从该氧化物半导体通道层的该相对两侧延伸至该基板的表面上，且位于该第一介电层与该基板之间，其中该氧化物半导体通道层的一部分暴露于该源极与该漏极之间，而部分该第一介电层及部分该第二介电层直接接触且完全覆盖该氧化物半导体通道层的该部分，其中该第二介电层直接覆盖该源极的上表面以及该漏极的上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该氧化物半导体通道层的材质包括氧化铟镓锌、氧化锌、氧化铟锌或氧化锌铟锡。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该第一介电层与该第二介电层其中的一个为氮化硅层，而该第一介电层与该第二介电层其中的另一个为氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该氧化物半导体通道层的该部分区分为第一部分以及环绕该第一部分的第二部分，部分该第一介电层直接接触该第一部分而使该第一部分具有第一导电率，而部分该第二介电层直接接触该第二部分而使该第二部分具有第二导电率，且该第一导电率不同于该第二导电率。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于其中部分该第一介电层与该第一部分的接触面积及部分该第二介电层与该第二部分的接触面积的比值介于1/10至10之间。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其还包括：

保护层，配置该基板上且覆盖该顶栅极与该第一介电层；以及

透明导电层，配置于该保护层上且覆盖该保护层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其还包括：

底栅极，配置于该基板上，且位于该氧化物半导体通道层与该基板之间；以及

栅绝缘层，位于该氧化物半导体通道层与该底栅极之间，且覆盖该基板与该底栅极。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该第一介电层的厚度大于该第二介电层的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该第一介电层覆盖该第二介电层与该氧化物半导体通道层。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中该第二介电层覆盖该源极、该漏极以及该氧化物半导体通道层。