[发明专利]薄膜晶体管衬底及其制造方法以及显示装置

说明书

提供了薄膜晶体管衬底、用于制造薄膜晶体管衬底的方法和包括薄膜晶体管的显示装置。在本发明的一个方面中，提供了一种薄膜晶体管衬底，其包括衬底、形成于所述衬底上的半导体层、形成于所述半导体层上的栅绝缘膜、形成于所述栅绝缘膜上的栅电极、形成于所述栅电极上且包括用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔的层间绝缘膜、以及分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔的源电极和漏电极。所述层间绝缘膜包括形成于所述源接触孔的入口处和所述漏接触孔的入口处的第一凸部。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管衬底、用于制造薄膜晶体管衬底的方法和包括薄膜晶体管衬底的显示装置，更具体地涉及包括在源接触孔的入口处和在漏接触孔的入口处形成的凸部的薄膜晶体管衬底、用于制造该薄膜晶体管衬底的方法和包括该薄膜晶体管衬底的显示装置。

背景技术

薄膜晶体管衬底用作有源矩阵液晶显示器或有源矩阵有机发光显示器的衬底，它们有源地为矩阵布置中的对应像素显示图像。

薄膜晶体管衬底包括沿纵向和横向布置的多个栅极线和数据线以限定像素区域、作为形成于栅极线和数据线彼此交叉区域中的开关元件的薄膜晶体管、以及形成于像素区域上的像素电极。

薄膜晶体管衬底包括各种结构，并且薄膜晶体管的性能根据结构的尺寸和位置被确定。例如，薄膜晶体管衬底包括各种接触孔，并且接触的尺寸和位置可能是确定薄膜晶体管衬底性能的重要因素。

此外，在形成包括在薄膜晶体管衬底中的各种结构的情况下，通常使用光刻方法层压构成材料并且通过掩模工序执行图案化。然而，光刻方法包括各种工序，例如薄膜沉积、光刻胶应用、掩模对齐、曝光、显影、蚀刻和剥离，这导致加工时间和产品成本增加。

发明内容

由本发明解决的一个目标是提供一种薄膜晶体管衬底，其通过在预定区域形成彼此重叠的精细接触孔可改善装置集成度和孔径比。

由本发明解决的另一目标是提供一种用于制造薄膜晶体管衬底的方法，其通过使用电流体动力（EHD）喷墨工序形成接触孔和电极可提高精度、可靠性和效率。

由本发明解决的又一目标是提供一种显示装置，其通过在预定区域形成彼此重叠的精细接触孔可改善装置集成度和孔径比。

本发明的另外的优点、目标和特征部分地在下面的描述中阐述并且基于下面的审查对本领域普通技术人员而言变得显而易见或者可从本发明的实现学习到。

在本发明的一个方面中，提供了一种薄膜晶体管衬底，其包括衬底、形成于所述衬底上的半导体层、形成于所述半导体层上的栅绝缘膜、形成于所述栅绝缘膜上的栅电极、形成于所述栅电极上且包括用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔的层间绝缘膜、以及分别插入所述源接触孔和所述漏接触孔的源电极和漏电极，所述层间绝缘膜包括形成于所述源接触孔入口处和所述漏接触孔入口处的第一凸部。

在本发明的另一方面中，提供了一种用于制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成初步栅绝缘膜；在所述初步栅绝缘膜上形成栅电极；在所述栅电极上形成初步层间绝缘膜；通过形成用于使所述半导体层的部分暴露的源接触孔和漏接触孔和通过将第一刻蚀溶液排放到所述初步层间绝缘膜在所述源接触孔入口处和所述漏接触孔入口处形成第一凸部，分别将所述初步栅绝缘膜和所述初步层间绝缘膜转变成栅绝缘膜和层间绝缘膜；分别在所述源接触孔和所述漏接触孔中形成源电极和漏电极，其中所述第一刻蚀溶液在电流体动力喷墨工序中被排放。