[发明专利]一种铜基电接插件及其制备方法

权利要求书

1.一种铜基电接插件，包括铜基电接插件基体（1），其特征在于：所述铜基电接插件基体（1）上依次沉积有金属薄膜（2）和金属复合导电层（3），所述金属薄膜（2）为铜基电接插件基体（1）和金属复合导电层（3）的连接层。

2.根据权利要求1所述的一种铜基电接插件，其特征在于：所述铜基电接插件基体（1）为铜基金手指、铜基锁紧螺母、铜基簧片、铜基同轴线接口、铜插头或铜接线柱。

3.根据权利要求1所述的一种铜基电接插件，其特征在于：所述金属薄膜（2）为0.05μm-0.5μm的零价金属态的铬薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种铜基电接插件，其特征在于：所述金属复合导电层（3）为碳铬薄膜，其厚度为0.1μm－5μm。

5.根据权利要求4所述的一种铜基电接插件，其特征在于：所述碳铬薄膜为在非晶碳基体上分布晶粒尺度为5nm-100nm的金属态零价铬晶体的纳米复合薄膜。

6.一种铜基电接插件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）前处理：

将铜基电插接件基体经过去毛刺、表面清污工序后，用超声波机进行清洗完毕后烘干

（2）装料：

将步骤（1）处理后的铜基电插接件基体随镀膜卡具一同装入增强过滤电弧离子镀设备的真空镀膜室中，在设备阴极弧源位置上的不同位置分别安装金属纯铬靶材和纯石墨靶材；

（3）离子溅射清洗：

关闭真空室舱门，抽真空至5×10^-3Pa后，通入惰性气体氩气，启动脉冲偏压电源，持续引发氩气辉光等离子体对铜基电接插件基体表面进行离子溅射清洗；

（4）制备金属薄膜连接层：

降低脉冲偏压幅值，调整工作气压，开启铬阴极弧，在铜基电接插件基体表面持续沉积制备金属薄膜的连接层；

（5）制备金属复合导电层：

开启碳阴极弧，调整碳靶弧电流与铬靶弧电流比值在1/4-2/1之间，在金属薄膜的连接层上沉积制备金属复合导电层，即得到铜基电接插件。

7.根据权利要求6所述的一种铜基电接插件的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）离子溅射清洗的具体步骤及参数为：关闭真空室舱门，依次开启初抽泵及分子泵进行真空获得，直至真空到达5×10^-3Pa后，通入惰性气体氩气，使真空达到0.3-5Pa，启动脉冲偏压电源，电压设置在500V-1000V，占空比为40%-80%，频率为20KHz-40KHz，持续引发氩气辉光等离子体对铜基电接插件基体表面进行离子溅射清洗1-20min。

8.根据权利要求6所述的一种铜基电接插件的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）制备金属薄膜连接层的具体步骤及参数为：降低脉冲偏压幅值至100-500V，占空比为30%-60%，频率为20KHz-40KHz，调整工作气压，使得真空达到0.4-1Pa，开启铬阴极弧，使得铬靶材弧电流在60-150A，持续沉积制备金属薄膜连接层，沉积时间为1-10min。

9.根据权利要求6所述的一种铜基电接插件的制备方法，其特征在于，所述步骤（5）制备金属复合导电层的具体步骤及参数为：开启碳阴极弧，调整碳靶弧电流与铬靶弧电流比值在1/4-2/1之间，持续沉积制备金属复合导电层，沉积时间为10-60min。