[发明专利]一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法

权利要求书

1.一种高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法，包括以下步骤：

（1）装入基片，对基片表面进行离子轰击活化；

（2）将步骤（1）处理后的基片在真空环境下转入溅射室；

（3）在常温下，进行氧化钒薄膜两步法溅射沉积；

（4）对沉积后的氧化钒薄膜进行高温快速退火。

2.根据权利要求1所述的高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法，其特征在于，步骤（1）中，离子轰击活化操作在带反应离子刻蚀源或带考夫曼源等离子源的真空室中进行，具体步骤为：将本底真空度抽至优于5.0×10^-4Pa后，打开进气阀，通入O₂/Ar流量比为1：5～1：20的超高纯Ar和O₂，并使真空维持在1.0～9.0×10^-1Pa，然后打开离子源，对基片表面进行1-5分钟的离子轰击。

3.根据权利要求1所述的高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法，其特征在于，步骤（3）中，氧化钒薄膜溅射沉积分两步进行，具体步骤为：第一步以O₂/Ar流量比为0～1：50的气氛在基片表面沉积1-5nm的超薄低价氧化钒种子层，第二步再以1：20～1：12的O₂/Ar流量比，进行设定厚度的氧化钒薄膜沉积。

4.根据权利要求1所述的高电阻温度系数氧化钒薄膜制备方法，其特征在于，步骤（4）中，以反应溅射时的相同气氛，在预定温度300～500℃，以包括红外快速退火炉的退火装置，对溅射后的氧化钒薄膜进行2-10分钟的退火热处理。