[发明专利]一种存储器中的磁性轨道的制造方法、装置及一种存储器

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器中的磁性轨道的制造方法、装置及一种存储器。

背景技术

在居里温度以下，磁性材料内部存在多个磁畴，磁畴之间的界面称为磁畴壁（Magnetic Domain Wall），在外磁场作用下，磁畴达到磁饱和状态后将整齐地排列运动。利用上述原理，通过对存储器中的磁性轨道作用电流脉冲，其内部的多个磁畴将沿着磁性轨道排列运动，此时，若将读写电路与磁性轨道相接，便可写入数据到磁畴中或从磁畴中读取数据，实现存储器的数据存取功能。需要指出的是，为了让读写电路准确地读写对应的磁畴，要求磁畴在被读写时定扎在固定的位置上，其中，带凹凸状的磁性轨道能够通过固定磁畴壁的方式实现定扎磁畴。

目前制造带凹凸状的磁性轨道的工艺为：向一条内表面呈凹凸状的孔隙里填充磁性材料来形成一条带凹凸状的磁性轨道。但是，现有技术无法在保证制成的孔隙又细又长的同时，还保证其内表面呈均匀的凹凸状。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种存储器中的磁性轨道的制造方法、装置及一种存储器，可以实现制造出带凹凸状且凹凸分布均匀的以及长且直的磁性轨道，提高读写精度。

本发明实施例第一方面提供了一种存储器中的磁性轨道的制造方法，包括：

将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体；

沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙；

在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道，其中，所述阳性隔离层和所述阴性隔离层针对所述磁性材料具有不同的淀积速率。

在第一方面的第一种可能实现方式中，所述沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙，包括：

沿堆叠方向对所述堆叠体进行非选择性刻蚀以获取至少一个孔隙；或

沿堆叠方向对所述堆叠体进行选择性刻蚀以获取至少一个孔隙。

结合第一方面的可能实现方式，在第一方面的第二种可能实现方式中，所述在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道之后，还包括：

在所述两条凹凸状的磁性轨道之间填充隔离材料；

对所述孔隙的其中一端的孔口所在的所述堆叠体的表面进行打磨；

在打磨后的所述表面覆盖一层所述隔离材料。

结合第一方面的第二种可能实现方式，在第一方面的第三种可能实现方式中，所述隔离材料包括由铁、钴或镍中任意一种或多种元素组成的金属氧化物以及所述金属氧化物的混合物。

结合第一方面或第一方面的第一种可能实现方式，在第一方面的第四种可能实现方式中，所述在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道之后，还包括：

使用所述磁性材料连接所述两条磁性轨道以形成一条U型的凹凸状的磁性轨道。

本发明实施例第二方面提供了一种存储器中的磁性轨道的制造装置，包括：

堆叠体制取模块，用于将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体；

孔隙刻蚀模块，用于沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙；

磁性轨道形成模块，用于在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道，其中，所述阳性隔离层和所述阴性隔离层针对所述磁性材料具有不同的淀积速率。

在第二方面的第一种可能实现方式中，所述孔隙刻蚀模块包括：

选择性刻蚀单元，用于沿堆叠方向对所述堆叠体进行非选择性刻蚀以获取至少一个孔隙；或

非选择性刻蚀单元，用于沿堆叠方向对所述堆叠体进行选择性刻蚀以获取至少一个孔隙。

结合第二方面的可能实现方式，在第二方面的第二种可能实现方式中，所述装置还包括：

隔离材料填充模块，用于在所述两条凹凸状的磁性轨道之间填充隔离材料；

表面打磨模块，用于对所述孔隙的孔口所在的所述堆叠体的表面进行打磨；

隔离材料覆盖模块，用于在打磨后的所述表面覆盖一层所述隔离材料。

结合第二方面的第二种可能实现方式，在第二方面的第三种可能实现方式中，所述隔离材料包括由铁、钴或镍中任意一种或多种元素组成的金属氧化物以及所述金属氧化物的混合物。

结合第二方面或第二方面的第一种可能实现方式，在第二方面的第四种可能实现方式中，所述装置还包括：