[发明专利]一种SiNx中间层磁控溅射制备类金刚石膜的方法在审
| 申请号： | 201410111641.4 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103849847A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈青云;王茜;王金枝;罗瑜;王烈林;王星博;邓云礼 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 621010 四川省绵阳*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sinx 中间层 磁控溅射 制备 金刚石 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiNX中间层磁控溅射制备类金刚石膜的方法，其特征是，其步骤如下：
（1）衬底的处理：用Si（100）基片作为衬底，先用丙酮在超声波清洗器中清洗20min，然后用酒精在超声波清洗器中清洗20min，经过N2吹干，沉积前用Ar离子轰击20min，放入溅射室；
（2）缓冲层SiNX的生长：靶材为Si，以N2为反应气体，Ar为工作气体，Ar发生电离形成Ar+，Ar+在电磁场作用下碰撞靶材，Ar+与靶材原子交换能量，靶材原子获得的能量大于金属逃逸功时，将离开靶材表面，与反应气体反应沉积在（1）中处理后的衬底表面形成薄膜；
（3）类金刚石膜的生长：靶材采用高纯碳靶，Ar为工作气体，Ar发生电离形成Ar+，Ar+在电磁场作用下碰撞靶材，Ar+与靶材原子交换能量，靶材原子获得的能量大于金属逃逸功时，将离开靶材表面，并沉积在（2）中衬底表面形成的薄膜上，形成类金刚石膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，步骤（2）中，靶材Si的纯度为99.999%；N2流量为3.2sccm，Ar流量为35.2sccm；射频溅射功率为160W，溅射时间为20min；衬底温度为室温。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，步骤（3）中，碳靶纯度为99.999%；Ar流量为35.2sccm；直流溅射功率为1.6W，溅射时间为40min，衬底温度为室温。
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