[发明专利]一种在陶瓷管上原位生长二维片状结构纳米氧化锌的方法

权利要求书

1.一种在陶瓷管上原位生长二维片状结构纳米氧化锌的方法，其特征在于，步骤为：

  （一）配置氧化锌籽晶层溶液：

将二水乙酸锌和乙醇胺溶于乙二醇甲醚；

或者，将二水乙酸锌用乙醇溶解，然后加入氢氧化锂,超声振荡至

氢氧化锂完全反应；

其中，二水乙酸锌与乙醇胺的质量比为4.4:1.2；二水乙酸锌与氢

氧化锂的质量比为2.7：0.74；

（二）二维片状结构纳米氧化锌的生长：

将氧化铝陶瓷管在氧化锌籽晶层溶液中浸渍之后，于350℃煅烧30 min；然后，置于入装有0.025 mol/l的硝酸锌和六次甲基四胺的混合溶液高压反应釜中，于95℃恒温水热生长3-12h，即得生长于氧化铝陶瓷管的二维片状结构纳米氧化锌；

 其中，硝酸锌和六次甲基四胺的摩尔比为1:1。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，乙二醇甲醚的用量为25ml/4.4g二水乙酸锌；乙醇的用量为250ml/5.4g二水乙酸锌；所述为高压反应釜的内衬为聚四氟乙烯，容积为50 ml。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（一）中，二水乙酸锌和乙醇胺溶于乙二醇甲醚之后，静置12h；

或者，加入氢氧化锂后的超声振荡时间为1h。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（二）中，水热生长时间为6-12h。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤（二）中，水热生长时间为8h。

6.一种采用权利要求1～5中任意一项所述的方法制备的气敏氧化铝陶瓷管。

7.一种采用权利要求6所述的气敏氧化铝陶瓷管制备的气敏传感器。

8.一种氧化镍/氧化锌纳米片异质结的气敏传感器，其特征在于，利用脉冲激光沉积技术，在权利要求6所述的气敏氧化铝陶瓷管表面上沉积p型半导体材料氧化镍。