[发明专利]一种图形化石墨烯的制备方法

权利要求书

1.一种图形化石墨烯的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、在设置有催化剂的基底上均匀涂覆一层固态碳源物质；

S2、对固态碳源物质进行图形化；

S3、图形化的固态碳源物质经高温反应形成图形化的石墨烯。

2.根据权利要求1所述的图形化石墨烯的制备方法，其特征在于：所述的步骤S1中，催化剂为过渡金属，包括铜、镍、铁。

3.根据权利要求2所述的图形化石墨烯的制备方法，其特征在于：设置有催化剂的基底是铜、镍或铁片状基底，或在耐高温基底上沉积有铜、镍或铁薄膜，耐高温基底包括硅片、石英玻璃片、氮化硅片、碳化硅片和陶瓷片。

4.根据权利要求1所述的图形化石墨烯的制备方法，其特征在于：所述的步骤S1中，固态碳源物质为含碳元素的有机聚合物，包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇和聚对苯二甲酸乙二醇酯，采用旋涂、喷涂或印刷的方法在基底上均匀涂覆一层，厚度在几十纳米到几百纳米之间。

5.根据权利要求1所述的图形化石墨烯的制备方法，其特征在于：所述的步骤S2中，固态碳源物质进行图形化的方法包括紫外光刻、电子束光刻、纳米压印和干法刻蚀，制备的图案尺寸在几纳米至几毫米之间。

6.根据权利要求1所述的图形化石墨烯的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，反应温度为700℃~1100℃，反应时间在几分钟到几十分钟。

7.一种如权利要求1所述的方法的应用，其特征在于：所述的方法用于直接在耐高温基片上制备光电子器件，或通过转移的方法将图形化石墨烯转移到其它基底上制备光电子器件。