[发明专利]具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法无效

专利信息
申请号: 201410112187.4 申请日: 2014-03-25
公开(公告)号: CN103904142A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 梁鹏;韩培德;范玉洁;邢宇鹏 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 具备 电极 局域 随机 点接触 太阳电池 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具备背电极局域随机点接触太阳电池,包括:

一衬底;

一n型发射极,其制作在衬底上;

一前表面钝化层,其制作在n型发射极上,该前表面钝化层分为多段,相邻两段之间均有一电极窗口;

一钝化膜,其制作在衬底的下面,该钝化膜开有多个小孔;

多个栅线前电极,其制作在前表面钝化层上的电极窗口内,该栅线前电极与n型发射极接触;

一整面背电极,其制作在钝化膜上,通过钝化膜上的小孔与衬底接触。

2.根据权利要求1所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池,其中所述衬底的材料为p型的晶体硅、多晶硅、微晶硅、纳晶硅或非晶硅。

3.根据权利要求1所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池,其中所述前表面钝化层的材料为氮化硅、氧化硅或氧化铝,或及其组合。

4.根据权利要求1所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池,其中所述钝化膜的材料为Al2O3,厚度为10nm-200nm;该钝化膜上的小孔的直径为1μm-1mm,小孔41的密度为102-106/cm2

5.根据权利要求2所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池,其中栅线前电极和整面背电极为欧姆接触电极,其材料为铝、铬、铜、镍、金、钨、钛、钯或银中的一种或其任意组合。

6.一种具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,包括如下步骤:

步骤1:在衬底上制作n型发射极;

步骤2:在n型发射极上沉积前表面钝化层;

步骤3:在前表面钝化层上刻蚀电极窗口;

步骤4:在衬底的背面沉积钝化膜;

步骤5:退火,使钝化膜上开设多个小孔;

步骤6:在前表面钝化层上印刷栅线前电极,该栅线前电极通过刻蚀电极窗口与n型发射极接触,在钝化膜上印刷背电极,该背电极通过多个小孔与衬底接触;

步骤7:烧结,完成制备。

7.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中所述衬底的材料为p型的晶体硅、多晶硅、微晶硅、纳晶硅或非晶硅。

8.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中所述前表面钝化层的材料为氮化硅、氧化硅或氧化铝,或及其组合。

9.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中所述钝化膜的材料为Al2O3,厚度为10nm-200nm;该钝化膜上的小孔的直径为1μm-1mm,小孔的密度为102-106/cm2

10.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中栅线前电极和整面背电极为欧姆接触电极,其材料为铝、铬、铜、镍、金、钨、钛、钯或银中的一种或其任意组合。

11.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中所述退火方式包括管式炉恒温退火、红外快速退火或常规慢速链式烧结炉烧结,退火的温度为400℃-1000℃;或采用脉冲激光退火时,单脉冲能量密度为10-1000mJ/cm2,波长为266nm-1064nm。

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