[发明专利]具备背电极局域随机点接触太阳电池及制备方法无效
申请号: | 201410112187.4 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN103904142A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 梁鹏;韩培德;范玉洁;邢宇鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具备 电极 局域 随机 点接触 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种具备背电极局域随机点接触太阳电池,包括:
一衬底;
一n型发射极,其制作在衬底上;
一前表面钝化层,其制作在n型发射极上,该前表面钝化层分为多段,相邻两段之间均有一电极窗口;
一钝化膜,其制作在衬底的下面,该钝化膜开有多个小孔;
多个栅线前电极,其制作在前表面钝化层上的电极窗口内,该栅线前电极与n型发射极接触;
一整面背电极,其制作在钝化膜上,通过钝化膜上的小孔与衬底接触。
2.根据权利要求1所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池,其中所述衬底的材料为p型的晶体硅、多晶硅、微晶硅、纳晶硅或非晶硅。
3.根据权利要求1所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池,其中所述前表面钝化层的材料为氮化硅、氧化硅或氧化铝,或及其组合。
4.根据权利要求1所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池,其中所述钝化膜的材料为Al2O3,厚度为10nm-200nm;该钝化膜上的小孔的直径为1μm-1mm,小孔41的密度为102-106/cm2。
5.根据权利要求2所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池,其中栅线前电极和整面背电极为欧姆接触电极,其材料为铝、铬、铜、镍、金、钨、钛、钯或银中的一种或其任意组合。
6.一种具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,包括如下步骤:
步骤1:在衬底上制作n型发射极;
步骤2:在n型发射极上沉积前表面钝化层;
步骤3:在前表面钝化层上刻蚀电极窗口;
步骤4:在衬底的背面沉积钝化膜;
步骤5:退火,使钝化膜上开设多个小孔;
步骤6:在前表面钝化层上印刷栅线前电极,该栅线前电极通过刻蚀电极窗口与n型发射极接触,在钝化膜上印刷背电极,该背电极通过多个小孔与衬底接触;
步骤7:烧结,完成制备。
7.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中所述衬底的材料为p型的晶体硅、多晶硅、微晶硅、纳晶硅或非晶硅。
8.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中所述前表面钝化层的材料为氮化硅、氧化硅或氧化铝,或及其组合。
9.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中所述钝化膜的材料为Al2O3,厚度为10nm-200nm;该钝化膜上的小孔的直径为1μm-1mm,小孔的密度为102-106/cm2。
10.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中栅线前电极和整面背电极为欧姆接触电极,其材料为铝、铬、铜、镍、金、钨、钛、钯或银中的一种或其任意组合。
11.根据权利要求6所述的具备背电极局域随机点接触太阳电池的制备方法,其中所述退火方式包括管式炉恒温退火、红外快速退火或常规慢速链式烧结炉烧结,退火的温度为400℃-1000℃;或采用脉冲激光退火时,单脉冲能量密度为10-1000mJ/cm2,波长为266nm-1064nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的