[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在一基板上形成薄膜晶体管的步骤，其特征在于，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：

在所述基板上形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案；

在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶；

所述在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶的步骤包括：

在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层；

在所述源漏金属层上涂覆光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中，所述光刻胶保留区域至少对应氧化物半导体层图案的沟道区域，以及源电极和漏电极所在的区域，所述光刻胶不保留区域对应其他区域；

刻蚀掉光刻胶不保留区域的源漏金属层；

剥离光刻胶保留区域的光刻胶，以及氧化物半导体层图案的沟道区域上保留的光刻胶，形成源电极和漏电极。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案的步骤包括：

在所述基板上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上涂覆光刻胶；

采用半色调或灰色调掩模板对所述光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶不保留区域，其中，所述光刻胶完全保留区域至少对应氧化物半导体层图案的沟道区域，所述光刻胶半保留区域至少对应氧化物半导体层图案的其他区域，所述光刻胶不保留区域对应其他区域；

刻蚀光刻胶不保留区域的氧化物半导体层，形成包括氧化物半导体层图案的图形；

通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，保留氧化物半导体层图案的沟道区域上的光刻胶。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上形成沟道上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案的步骤之前还包括：

在所述基板上形成栅电极；

在栅电极上方形成栅绝缘层。

4.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述氧化物半导体层图案上形成源漏金属层，通过刻蚀工艺形成包括源电极、漏电极的图形，剥离氧化物半导体层图案的沟道区域上的光刻胶的步骤之后还包括：

在源电极、漏电极和氧化物半导体层图案的沟道区域的上方形成钝化层；

对所述钝化层进行构图工艺，在漏电极的上方形成钝化层过孔的图案；

在所述钝化层上方形成像素电极，通过所述钝化层过孔与漏电极电性连接。