[发明专利]基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法

权利要求书

1.一种基于GaN基异质结构的二极管，包括：

一衬底；

一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；

一异质结构势垒层，其制作在缓冲层上；与缓冲层形成二维电子气的异质结构外延层；

一P型盖帽层，其制作在异质结构势垒层上，其两侧形成台面；

一欧姆接触阳极，其制作在异质结构势垒层上，位置在紧挨着台面的一侧；

一欧姆接触阴极，其制作在异质结构势垒层上，且远离P型盖帽层的另一侧的台面上；

一肖特基阳极，其制作在P型盖帽层和欧姆接触阳极上；

一第一电极，其制作在肖特基接触上；

一第二电极，其制作在欧姆接触阴极上。

2.根据权利要求1所述的基于GaN基异质结构的二极管，其中所述缓冲层的材料为GaN、AlGaN或AlN，或是由一层或者多层GaN、AlGaN或AlN的任意组合，其厚度为1nm-10μm。

3.根据权利要求1所述的基于GaN基异质结构的二极管，其中所述异质结构势垒层的材料为AlGaN、AlN或InAlN，或是由一层或者多层GaN、AlGaN或AlN的任意组合，其厚度为1nm-100nm。

4.根据权利要求1所述的基于GaN基异质结构的二极管，其中所述P型盖帽层的材料为P型GaN、P型InGaN或者P型AlGaN材料，形状为平行长条形、叉指结构、圆形、圆环形、矩形或多边形，或及其组合图形，厚度为1nm-1μm。

5.根据权利要求1所述的基于GaN基异质结构的二极管，其中所述欧姆接触阴极与P型盖帽层的间距为1nm-5cm。

6.一种基于GaN基异质结构的二极管的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：在衬底依次制作缓冲层和异质结构势垒层；

步骤2：在异质结构势垒层上上制作P型盖帽层；

步骤3：采用刻蚀的方法，将P型盖帽层两侧刻蚀掉，在P型盖帽层两侧形成台面；

步骤4：在P型盖帽层台面的一侧淀积欧姆接触阳极；

步骤5：在P型盖帽层台面的另一侧淀积欧姆接触阴极；

步骤6：退火；

步骤7：在P型盖帽层和欧姆接触阳极上淀积肖特基阳极；

步骤8：在肖特基接触阳极上淀积第一电极；

步骤9：在欧姆接触阴极上淀积第二电极，完成器件的制备。

7.根据权利要求8所述的GaN基异质结构二极管的制作方法，其中所述缓冲层的材料为GaN、AlGaN或AlN，或是由一层或者多层GaN、AlGaN或AlN的任意组合，其厚度为1nm-10μm。

8.根据权利要求1所述的基于GaN基异质结构的二极管的制作方法，其中所述异质结构势垒层的材料为AlGaN、AlN或InAlN，或是由一层或者多层GaN、AlGaN、InAlN或AlN的任意组合，其厚度为1nm-100nm。

9.根据权利要求1所述的基于GaN基异质结构的二极管的制作方法，其中所述P型盖帽层的材料为P型GaN、P型InGaN或者P型AlGaN材料，形状为平行长条形、叉指结构、圆形、圆环形、矩形或多边形，或及其组合图形，厚度为1nm-1μm。

10.根据权利要求1所述的基于GaN基异质结构的二极管的制作方法，其中所述欧姆接触阴极与P型盖帽层的间距为1nm-5cm。