[发明专利]沟槽电极布置

权利要求书

1. 一种用于产生半导体器件的方法，所述方法包括：

形成从半导体本体的第一表面延伸到所述半导体本体中的沟槽，以使得所述沟槽具有第一沟槽区段和邻接所述第一沟槽区段的至少一个第二沟槽区段，并且其中与在第二沟槽区段中相比所述沟槽在所述第一沟槽区段中更宽；

在所述至少一个第二沟槽区段中形成第一电极，由第一电介质层将所述第一电极与所述半导体本体的半导体区域介电绝缘；

在所述至少一个第二沟槽区段中形成在所述第一电极上的电极间电介质层；以及

在所述电极间电介质层上的所述至少一个第二沟槽区段中以及在所述第一沟槽区段中形成第二电极，以使得由第二电介质层将至少在所述第一沟槽区段中的所述第二电极与所述半导体本体的半导体区域介电绝缘。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中形成所述沟槽以使得与在更窄沟槽区段中相比，所述沟槽在更宽沟槽区段中更深地延伸到所述半导体本体中。

3. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一沟槽区段中形成所述第二电极，以使得由在所述第一沟槽区段的侧壁上的第三电介质层将所述第二电极与所述半导体本体的半导体区域介电绝缘。

4. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一沟槽区段的底部上形成电极间电介质。

5. 根据权利要求1所述的方法，其中形成所述沟槽以使得所述沟槽的宽度从在所述至少一个第二沟槽区段中的第一宽度逐渐增大到在所述第一沟槽区段中的第二宽度，其中所述第二宽度大于所述第一宽度。

6. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将布置在所述第一沟槽区段中的所述第二电极的区段暴露在与所述半导体本体的所述第一表面相对的第二表面上。

7. 根据权利要求1所述的方法，其中形成所述沟槽包括形成在相对的侧上邻接所述第一沟槽区段的两个第二沟槽区段。

8. 根据权利要求1所述的方法，其中在所述至少一个第二沟槽区段中形成所述第一电极包括：

在所述至少一个第二沟槽区段的底部上以及在所述至少一个第二沟槽区段的至少下部部分中的侧壁上形成所述第一电介质层；

在所述第一沟槽区段和所述至少一个第二沟槽区段中形成第一电极层，以使得所述第一电极层在所述第一沟槽区段中留出残余沟槽并且在所述至少一个第二沟槽区段中完全填充所述沟槽；

去除所述第一沟槽区段中的所述第一电极层；以及

部分地去除在所述至少一个第二沟槽区段中的所述第一电极层以使得所述第一电极层保留在所述至少一个第二沟槽区段的下部部分中。

9. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述第一沟槽区段的底部上形成所述电极间电介质层。

10. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述电极间电介质层之后，在所述第一沟槽区段的侧壁上形成第三电介质层。

11. 根据权利要求10所述的方法，其中在形成所述第二电介质层时，同时地形成所述第三电介质层的至少一部分。

12. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述半导体本体中形成与所述至少一个第二沟槽区段中的所述第二电介质层相邻的本体区域；

形成在所述本体区域中并且与所述第二电介质层相邻的源极区域。

13. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将第一器件结构电连接到在所述第一电极的第一位置处的所述第一电极，并且将第二器件结构电连接到在所述第一电极的与所述第一位置分开的第二位置处的所述第一电极；

将第三器件结构电连接到在所述第一电极的所述第一位置处的所述第二电极，并且将第四器件结构电连接到在所述第二电极的与所述第一位置分开的第二位置处的所述第一电极。

14. 根据权利要求13所述的方法，其中所述第一器件结构、所述第二器件结构、所述第三器件结构和所述第四器件结构中的至少一个是从如下中的一个选择的：

掺杂的半导体区域；

导电接触；以及

连接线。