[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201410113531.1 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN104103656A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 户田淳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
由双折射材料形成的透明基板,该双折射材料具有在垂直于光接收表面的方向上的高折射率和在平行于该光接收表面的方向上的低折射率,该透明基板设置在该光接收表面上。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该双折射材料的该高折射率ne和该低折射率no的折射率比ne/no为1.1或更大。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该双折射材料是无机材料。
4.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中
该无机材料是石英、TiO2、方解石或铌酸锂。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该双折射材料是有机材料。
6.根据权利要求5所述的固态成像装置,其中
该有机材料是聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯树脂(PC)、聚苯乙烯(PS)、丙烯腈-苯乙烯(AS树脂)或聚甲基丙烯酸类苯乙烯(MS树脂)。
7.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该双折射材料具有电介质多层结构,该电介质多层结构中结合了具有不同相对介电常数的材料。
8.根据权利要求7所述的固态成像装置,其中
通过结合该具有不同相对介电常数的材料来设置该电介质多层结构,以使具有相同相对介电常数的每个材料区域为500nm或更小。
9.根据权利要求8所述的固态成像装置,其中
通过将该具有相同相对介电常数的材料布置成格子形、六边形、八边形或柱形来形成该电介质多层结构。
10.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
该双折射材料具有折射率色散,以使该折射率对于具有短波长的光是高的而对于具有长波长的光是低的。
11.根据权利要求10所述的固态成像装置,其中
该双折射材料具有40或更小的阿贝数。
12.一种电子设备,包括由双折射材料形成的透明基板,该双折射材料具有在垂直于光接收表面的方向上的高折射率和在平行于该光接收表面的方向上的低折射率,该透明基板设置在该光接收表面上。
13.一种固态成像装置,包括透明基板,该透明基板由具有折射率色散的材料形成,以使该折射率对于具有短波长的光是高的而对于具有长波长的光是低的,并且该透明基板设置在该光接收表面上。
14.根据权利要求13所述的固态成像装置,其中
该具有折射率色散的材料具有40或更小的阿贝数。
15.根据权利要求14所述的固态成像装置,其中
该具有折射率色散的材料是聚碳酸酯树脂(PC)、聚苯乙烯(PS)、丙烯腈-苯乙烯(AS树脂)、聚甲基丙烯酸类苯乙烯(MS树脂)、玻璃基材料或TiO2。
16.一种电子设备,包括固态成像装置,该固态成像装置包括透明基板,该透明基板由具有折射率色散的材料形成,以使该折射率对于具有短波长的光是高的而对于具有长波长的光是低的,该透明基板设置在该光接收表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的