[发明专利]含有异氰脲酸化合物与苯甲酸化合物的反应生成物的形成防反射膜的组合物

权利要求书

1.一种防反射膜，是将形成防反射膜的组合物涂布在半导体基板上并进行烘烤而得的防反射膜，

所述形成防反射膜的组合物含有：以下式（1）所示的化合物与具有溴基或碘基的羟基苯甲酸化合物以摩尔比计式（1）所示的化合物:苯甲酸化合物为1:2～1:3的比例反应而得的反应生成物、该反应生成物的低聚物、交联性化合物、溶剂、光产酸剂和酸化合物，

式中，R₁表示碳原子数1～6的烷基、苄基、2－丙烯基、2,3－环氧丙基或苯基。

2.根据权利要求1所述的防反射膜，上述式（1）所示的化合物是三（2,3－环氧丙基）异氰脲酸。

3.根据权利要求1或2所述的防反射膜，上述具有溴基或碘基的羟基苯甲酸化合物是选自2,4,6－三碘－3－羟基苯甲酸、2,4,6－三溴－3－羟基苯甲酸、2－溴－4,6－二甲基－3－羟基苯甲酸、3,5－二溴－4－羟基苯甲酸、2,4－二羟基－5－溴苯甲酸、3－碘－5－硝基－4－羟基苯甲酸、3,5－二碘－2－羟基苯甲酸、4－氨基－3,5－二碘－2－羟基苯甲酸、和3,5－二溴－2－羟基苯甲酸等中的化合物。

4.一种在半导体器件的制造中使用的光致抗蚀剂图形的形成方法，包括：将权利要求1～3的任一项所述的防反射膜形成在半导体基板上的工序；在该防反射膜上形成光致抗蚀剂层的工序；对用上述防反射膜和上述光致抗蚀剂层被覆的半导体基板进行曝光的工序；在该曝光后对上述光致抗蚀剂层进行显影的工序。