[发明专利]硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法

权利要求书

1.硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其特征在于所述方法步骤如下：

一、在高真空条件下，通过物理气相沉积法或化学气相沉积法，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成含能调制膜，所述含能调制膜中，每层控制硅层或反应金属层的厚度在5-60nm，调制周期数大于5；

二、在步骤一形成的含能调制膜上方的一侧放置另一个待连接碳化硅半导体或金属衬底，并均匀施加1000-10000Pa压力；在含能调制膜上方的另一侧施加脉冲激光照射诱导区，瞬时向含能调制膜的诱导区输入极小能量，激发含能调制膜的放热反应，而且利用含能调制膜的反应热维持其反应继续进行，最终形成高温服役低电阻硅基金属间化合物接头，控制激光脉冲持续时间为0.1-0.5ms、脉冲功率为500-2000W，激光输入能量为0.05-1J。

2.根据权利要求1所述的硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其特征在于所述真空度低于0.1Pa。

3.根据权利要求1所述的硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其特征在于所述碳化硅导体或金属衬底的厚度小于600μm。

4.根据权利要求1所述的硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其特征在于若待连接件是碳化硅导体，那么表面应先沉积反应金属层，再沉积硅层；若待连接件是金属衬底，那么表面应先沉积硅层，再沉积反应金属层。

5.根据权利要求1所述的硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其特征在于所述沉积过程中，要保证和碳化硅表面接触的是反应金属层，和金属衬底表面接触的是硅层。

6.根据权利要求1所述的硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其特征在于所述反应金属层选用钛或铜金属。