[发明专利]一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法有效
| 申请号： | 201410114052.1 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103866380A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;戴元滨;吴拥中;张雷;邵永亮;刘晓燕;田媛 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B25/04 | 分类号： | C30B25/04;C30B29/40 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 宁钦亮 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 使用 图形 退火 多孔 结构 进行 gan 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法，其特征是，包括以下步骤：
（1）在GaN外延片上制备SiO2图形掩膜，GaN外延片的厚度为2μm-5μm，SiO2掩膜为四方排列的开孔或者六方排列的开孔，SiO2掩膜厚度为50nm-100nm，开孔周期为60μm-150μm，开孔直径为10μm-15μm；
（2）将带有SiO2图形掩膜的GaN外延片在真空炉内，1200-1300℃下高温退火60分钟-90分钟；
（3）将退火后的带有SiO2图形掩膜的GaN外延片在去离子水中超声清洗5分钟，然后在浓磷酸中漂洗1分钟-5分钟，用去离子水冲洗干净；然后在25℃-53℃丙酮和25℃-73℃乙醇溶液中分别清洗1分钟-5分钟，用去离子水冲洗干净，再用氢氟酸漂洗20秒-5分钟去除SiO2层，用去离子水冲洗干净，氮气烘干，形成多孔GaN衬底；
（4）将多孔GaN衬底通过HVPE外延生长，得到GaN单晶。
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