[发明专利]晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成间隔堆叠的若干绝缘层和若干伪栅极层；

在所述绝缘层和伪栅极层内形成通孔，所述通孔底部位于基底表面；

在所述通孔内壁表面形成沟道层；

去除所述伪栅极层，形成相邻绝缘层之间的凹槽；

在所述凹槽内壁表面以及沟道层表面形成栅介质层；

在所述栅介质层表面形成填充满凹槽以及通孔的栅极。

2.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅或碳氮氧化硅，并且，所述绝缘层的材料与伪栅极层的材料不同。

3.根据权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为30nm～60nm。

4.根据权利要求3所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述绝缘层内掺杂有N型杂质离子，所述N型杂质离子包括P、As或Sb中的一种或几种。

5.根据权利要求3所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述绝缘层内掺杂有P型杂质离子，所述P型杂质离子包括B、Ga或In中的一种或几种。

6.根据权利要求4或5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述绝缘层内的杂质离子的质量分数为8％～12％。

7.根据权利要求4或5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述沟道层之后，形成填充满所述通孔的介质层；然后进行退火处理，使所述绝缘层内的掺杂离子扩散进入沟道层内，形成源漏区。

8.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度为400℃～800℃，退火时间为3min～10min。

9.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料与伪栅极层的材料相同。

10.根据权利要求9所述的晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述伪栅极层的同时，去除所述介质层。

11.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料与伪栅极层的材料不同。

12.根据权利要求11所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述栅介质层和栅极的方法包括：在所述凹槽内壁表面形成第一栅介质层之后，形成填充满所述凹槽的第一栅极；去除所述介质层，在沟道层表面形成第二栅介质层；在第二栅介质层表面形成填充满所述通孔的第二栅极。

13.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述沟道层的材料为硅、锗或锗化硅。

14.根据权利要求13所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述沟道层的厚度小于7nm。

15.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料包括氧化硅、氧化铪、氧化锆、铝氧化铪或铝氧化锆中的一种或几种。

16.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极的材料为多晶硅、Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti、TiN、TaN、Ta、TaC、TaSiN、W、WN、WSi中的一种或几种。