[发明专利]轨到轨峰值检测电路及其方法

说明书

 

技术领域

本发明涉及一种峰值检测方法，尤其涉及一种轨到轨峰值检测电路及其方法。

 

背景技术

目前，市面上常规的峰值检测方法主要有两种，第一种是如图5中所示的，采用二极管的单向导通来实现峰值检测，该方法简单，但是输出峰值跟实际输出相差一个二极管压降，输出并不是真正的输入峰值；第二种是如图6所示的，采用运放+二极管，当输入信号比电源小于二极管压降时，在输出端可以检测到完整的输入信号峰值。但是当输入信号进一步增大时，由于二极管的正向压差的原因，则无法在输出再复现输入信号峰值及方法无法实现轨到轨的峰值检测。

因此，市面上急需一种新型的峰值检测方法来克服现有的缺陷。

    

发明内容

针对上述技术中存在的不足之处，本发明提供一种结构稳定、方便易用、使用灵活及密封性强的轨到轨峰值检测电路及其方法。

为实现上述目的，本发明提供一种轨到轨峰值检测电路，包括由第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管构成的运放电路、由第五晶体管及第六晶体管构成的电流镜电路和电容；所述第一晶体管的栅极接收输入信号，第一晶体管的源极和第二晶体管的源极所形成的公共端接地，所述第一晶体管的漏极与第三晶体管的漏极电连接，第三晶体管的栅极与第四晶体管的栅极所形成的公共端通过电流源接地，第四晶体管的漏极电连接至第二晶体管的漏极，所述第二晶体管的栅极电连接至电容的一端，所述第五晶体管的栅极和第六晶体管所形成的公共端与第五晶体管的漏极分别电连接至第一晶体管和第三晶体管所形成的公共端，所述第六晶体管的漏极与电容的另一端电连接并对电容进行充电，所述电容的另一端接地，所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管的源极依次串连接；

其中，所述晶体管为三极管或MOS管。

为实现上述目的，本发明提供一种轨到轨峰值检测方法，包括以下步骤：

当输入电压增加时，第一晶体管的栅极电压随之增加，则第一晶体管与第三晶体管的漏极电流差流向第五晶体管；

由第六晶体管对第五晶体管的电流差进行镜像；

由镜像后的电流差对电容进行持续充电；

直至输出电压等于输入电压时，电容停止充电；

当输入电压下降时，电容保持输入的最高电压，该最高电压指示为正向峰值电压。

为实现上述目的，本发明提供还一种轨到轨峰值检测电路，包括由第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管构成的运放电路、由第五晶体管及第六晶体管构成的电流镜电路和电容；所述第一晶体管的栅极接收输入信号，电容的一端通过电流源连接至第一晶体管的源极与第二晶体管的源极所形成的公共端，第一晶体管的漏极与第三晶体管的漏极电连接，第三晶体管的栅极与第四晶体管的栅极所形成的公共端和第四晶体管的漏极分别电连接至第二晶体管的漏极，所述第二晶体管的栅极电连接至电容的另一端，所述第五晶体管的栅极和第六晶体管所形成的公共端与第五晶体管的漏极分别电连接至第一晶体管和第三晶体管所形成的公共端，所述第六晶体管的漏极与电容的另一端电连接并对电容进行充电，所述第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管的源极均接地；

当输入电压减少时，第一晶体管的栅极电压随之减少，则第一晶体管与第三晶体管的漏极电流差流向第五晶体管，并由第六晶体管对第五晶体管的电流差进行镜像，由镜像后的电流差对电容进行持续放电，直至输出电压等于输入电压时，电容停止放电；当输入电压上升时，电容保持输入端的最低电压，该最高低电压指示为负向峰值电压。

其中，所述晶体管为三极管或MOS管。

为实现上述目的，本发明还提供一种轨到轨峰值检测方法，包括以下步骤：

当输入电压减少时，第一晶体管的栅极电压随之减少，则第一晶体管与第三晶体管的漏极电流差流向第五晶体管；

由第六晶体管对第五晶体管的电流差进行镜像；

由镜像后的电流差对电容进行持续放电；

直至输出电压等于输入电压时，电容停止放电；

当输入电压上升时，电容保持输入端的最低电压，该最低电压指示为负向峰值电压。