[发明专利]一种硅掺杂钙磷陶瓷的表面处理方法

权利要求书

1.一种硅掺杂钙磷陶瓷的表面处理方法，其特征在于，对硅掺杂钙磷陶瓷进行表面水热处理：将硅掺杂钙磷陶瓷置于灭菌锅中，在100～180℃下处理0.5～2h，用去离子水冲洗，烘干后得到表面生长有羟基磷灰石晶须的硅掺杂钙磷陶瓷。

2.根据权利要求1所述的硅掺杂钙磷陶瓷的表面处理方法，其特征在于，所述烘干为在45～55℃烘干。

3.根据权利要求1所述的硅掺杂钙磷陶瓷的表面处理方法，其特征在于，所述硅掺杂钙磷陶瓷中，硅掺杂量为1.5wt%～4.0wt%。

4.根据权利要求1所述的硅掺杂钙磷陶瓷的表面处理方法，其特征在于，所述硅掺杂钙磷陶瓷由以下方法制备：

（1）制备硅掺杂纳米羟基磷灰石粉体；

（2）将硅掺杂纳米羟基磷灰石粉体加压成型，用马弗炉以5～10℃/min升温至1000～1200℃保温8～10h，然后以2～5℃/min降温，制得硅掺杂钙磷陶瓷。

5.根据权利要求4所述的硅掺杂钙磷陶瓷的表面处理方法，其特征在于，步骤（1）所述制备硅掺杂纳米羟基磷灰石粉体，具体为：

将分析纯Ca(NO₃)₂·4H₂O和(NH₄)₃PO₄·3H₂O试剂配成溶液分别作为钙源和磷源，将正硅酸乙酯作为硅源，控制Ca/(P+Si)摩尔比为1.67，调节钙源的PH大于10，磷源的PH大于9；将分散剂加入钙源并进行搅拌，正硅酸乙酯加入磷源并进行搅拌，将磷源成滴滴加到钙源中，滴加完毕后继续搅拌0.5～1h，再转移至不锈钢反应釜，160～200℃水热6～10h，离心洗涤，50～100℃干燥，研磨得硅掺杂纳米羟基磷灰石粉体。