[发明专利]基于碳材料的透明导电薄膜、其工业化制法及应用有效
申请号: | 201410114971.9 | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN104952717B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 陈新江 | 申请(专利权)人: | 苏州汉纳材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215000 江苏省苏州工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 材料 透明 导电 薄膜 工业化 制法 应用 | ||
1.一种基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于包括:
(1)提供透明导电薄膜,其包括透明基体和分别覆设于所述基体两侧面的第一透明导电层和第二透明导电层,所述第一透明导电层和第二透明导电层均主要由碳材料组成;
(2)分别以第一掩模和第二掩模掩盖所述第一透明导电层和第二透明导电层,其中所述第一掩模和第二掩模分别具有第一镂空图形结构和第二镂空图形结构;
(3)将所述透明导电薄膜置入蚀刻室内,并对蚀刻室进行抽真空处理,使蚀刻室内的真空度达到5-100Pa,而后通入载气和工作气体,使所述蚀刻室内的气压维持在10-1000Pa,再进行辉光放电,生成可与任一种碳纳米管反应生成气态产物但不损伤所述基体和掩模的等离子体,而后以所述等离子体将从所述第一掩模和第二掩模的镂空图形结构中暴露出的第一透明导电层和第二透明导电层的局部区域完全除去,而使所述第一透明导电层和第二透明导电层中被掩模遮盖的其余区域被保留,从而分别在所述第一透明导电层和第二透明导电层中形成第一图形化结构和第二图形化结构,其中,至少在垂直于所述透明导电薄膜的方向上,所述第一图形化结构与第二图形化结构的投影不重合,所述工作气体为在等离子状态下能与碳反应生成挥发性物质的洁净气体。
2.根据权利要求1所述的基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于,步骤(2)包括:在所述第一透明导电层和第二透明导电层上涂覆光刻胶,而后加工形成第一掩模和第二掩模。
3.根据权利要求1或2所述的基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于还包括如下步骤:(4)采用选定溶剂溶解去除所述第一掩模和第二掩模。
4.根据权利要求1所述的基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于,所述工作气体选自空气、氧气或氮的氧化物。
5.根据权利要求4所述的基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于,所述工作气体选自氮气和/或氧气。
6.根据权利要求4所述的基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于,所述工作气体为空气。
7.根据权利要求1-2、4-6中任一项所述的基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于,当通入载气和工作气体后,所述蚀刻室内的气压维持在40-60Pa。
8.根据权利要求1-2、4-6中任一项所述的基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于,该制法中所述等离子体的激发功率在10-1000W,而相应的驱动方式包括:频率为13.56MHz的单一射频驱动方式或者一个以上高频与低频电源组合而成的多频电源驱动方式。
9.根据权利要求1-2、4-6中任一项所述的基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于,步骤(3)还包括:在将所述透明导电薄膜置入蚀刻室之后,还对蚀刻室内腔进行了抽真空处理,使蚀刻室内的真空度达到5-10Pa,而后再通入工作气体或载气与工作气体。
10.根据权利要求1所述的基于碳材料的透明导电薄膜的工业化制法,其特征在于,步骤(3)还包括:在完成对所述透明导电薄膜的刻蚀处理后,再次对蚀刻室内腔进行抽真空处理,而后通入经高效过滤的洁净压缩空气排空,并取出所述透明导电薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州汉纳材料科技有限公司,未经苏州汉纳材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410114971.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:工艺过程中设备离线检测的方法及系统
- 下一篇:一种物镜光阑杆微调装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造