[发明专利]双晶纵波斜探头无效
申请号: | 201410115082.4 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN103901114A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 周南岐;王钲清 | 申请(专利权)人: | 常州市常超电子研究所有限公司 |
主分类号: | G01N29/24 | 分类号: | G01N29/24 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 213161 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双晶 纵波 探头 | ||
1.一种双晶纵波斜探头,其特征在于:包括屏蔽外壳(1),屏蔽外壳(1)内并排设置有左楔块(2)和右楔块(3),所述的左楔块(2)和右楔块(3)之间设置有隔声层(4),左楔块(2)和右楔块(3)的底面为水平面,上表面为斜面,左楔块(2)和右楔块(3)的上表面上分别设置有左声阻抗匹配层(5)和右声阻抗匹配层(6),左声阻抗匹配层(5)和右声阻抗匹配层(6)上分别设置有左晶片(7)和右晶片(8),左晶片(7)和右晶片(8)的底部还设置有金箔,屏蔽外壳(1)上还设置有分别与左晶片(7)和右晶片(8)对应的发射探头(9)和接收探头,所述发射探头(9)内的芯线柱(91)引出有与左晶片(7)底部金箔连接的第一导线(92),发射探头(9)的外壳引出有与左晶片(7)上表面连接的第二导线(93),所述的第一导线(92)和第二导线(93)之间并联有左电感(10),所述接收探头内的芯线柱引出有与右晶片底部金箔连接的第三导线,接收探头的外壳引出有与右晶片上表面连接的第四导线,所述的第三导线和第四导线之间并联有右电感。
2.如权利要求1所述的双晶纵波斜探头,其特征在于:所述的左晶片(7)和右晶片(8)均为压电陶瓷晶片,压电陶瓷晶片由多块方形的小压电陶瓷晶片阵列组成。
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