[发明专利]荧光体与发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种荧光体，且涉及一种具有硅/钡元素的荧光体与使用其的发光装置。

背景技术

近年，使用半导体发光的发光装置被广泛地使用，特别是发光二极体已被成功开发，此发光装置较习知的冷阴极灯管、白炽灯等发光设备，具有高发光效率、体积小、低耗电力与低成本等优点，因此可做为各种光源来使用。而半导体发光装置包含半导体发光元件与荧光体，荧光体可吸收并转换半导体发光元件所发出的光，藉由半导体发光元件所发出的光与荧光体转换发出的光两者混合使用。此种发光装置可作为荧光灯、车辆照明、显示器、液晶背光显示等各种领域使用。

现行的白光二极体发光装置，主要藉由补色原理进行开发。由半导体发光元件发出蓝光，往荧光体入射后，荧光体吸收并转换为黄光发出，蓝光与黄光混合同时进入人眼时，人则感受为白光。例如若使用InGaN为发蓝光的半导体，黄色荧光体为(Y,Gd)₃(Al,Ga)₅O₁₂：Ce，则可达到上述效果。

又，亦可利用发出紫外线的发光元件与可发出RGB(红色、绿色、蓝色)光的荧光体组合，放出白色光。再者，亦有使用放出紫外线的发光元件，使发出蓝色光的荧光体发光，藉由该蓝色光使发出黄色光的荧光体激发，发出荧光，而混合发出白色等光。

然而，由于目前使用的发光装置领域越来越广泛，且市上贩售的黄色荧光体(Y,Gd)₃(Al,Ga)₅O₁₂：Ce系列，其发光辉度明显不足，无法满足业界的需求，且在提升发光强度的同时，易造成发光色度发生偏移的现象。因此如何能满足应用于各种发光装置并同时达到辉度提升的荧光体，已成现行荧光体技术开发的重点之一。

发明内容

本发明涉及一种荧光体及提供使用所述的荧光体材料搭配半导体发光元件而构成一高辉度的发光装置，且该荧光体具有优异的发光特性。

提供一种荧光体，其包括通式为A_3-xCe_xQ₅O₁₂的组成物(composition)。A及Q独立地包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、钆(Gd)、铽(Tb)、镥(Lu)元素或上述的组合。Ce为铈元素。O为氧元素。0<x≤3。荧光体具有100ppm～2000ppm的钡(Ba)元素。较佳地，该荧光体具有200ppm～1800ppm的钡(Ba)元素。更佳地，该荧光体具有300ppm～1700ppm的钡(Ba)元素。

根据实施例，提供一种发光装置。发光装置包括半导体发光元件与上述荧光体。荧光体受半导体发光元件所发出的光激发，并转换发出波长相异于半导体发光元件所发出的光。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1示出了一实施例中发光装置的剖面图。

图2示出了荧光体光特性的测量装置。

具体实施方式

实施例的荧光体包括通式为A_3-xCe_xQ₅O₁₂的组成物(composition)。Ce为铈元素。O为氧元素。实施例中，荧光体具有100ppm～2000ppm的钡(Ba)元素，较佳地，该荧光体具有200ppm～1800ppm的钡(Ba)元素。更佳地，该荧光体具有300ppm～1700ppm的钡(Ba)元素。一实施例中，荧光体具有200ppm～800ppm的硅(Si)元素。较佳地，该荧光体具有300ppm～700ppm的硅(Si)元素。更佳地，该荧光体具有400ppm～600ppm的硅(Si)元素。荧光体可具有钡元素与硅元素至少其中之一，或同时具有钡元素与硅元素。符合上述条件的荧光体其发光辉度可明显提升。在色度相同的情况下，实施例的荧光体，相较于不符合上述条件的荧光体(比较例)具有较高的辉度值。所谓色度相同意味着色度座标x、y差异分别在±0.002之内。

荧光体的A_3-xCe_xQ₅O₁₂组成物中的A可包括铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、钆(Gd)、铽(Tb)、镥(Lu)元素或上述的组合。较佳地，A包括钇、钆、铽、镥元素至少一种。一实施例中，A为钇元素。

0<x≤3。例如0.025≤x≤1。