[发明专利]一种半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有虚拟栅极，所述虚拟栅极侧壁上形成有间隙壁，所述虚拟栅极上方形成有硬掩膜层；

执行自对准硅化物工艺，以在所述半导体衬底上形成自对准硅化物；

执行SPT预处理步骤，以去除在所述自对准硅化物工艺和SPT之间在所述间隙壁以及所述硬掩膜层上氧化形成的氧化物层；或控制所述自对准硅化物工艺到SPT工艺步骤的等待时间，以减少氧化形成的所述氧化物层的形成量；

执行SPT工艺步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述SPT预处理步骤中，控制所述自对准硅化物工艺到所述SPT预处理步骤的等待时间，以及所述SPT预处理步骤到所述SPT工艺步骤的等待时间，以减少所述氧化物层的形成量。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SPT预处理步骤选用SiCoNi预清洗。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述SiCoNi预清洗选用原位SiCoNi预清洗或者非原位SiCoNi预清洗。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

选用原位SiCoNi预清洗进行所述SPT预处理步骤时，控制从自对准硅化物工艺到SPT预处理步骤的等待时间为0-72h；

选用非原位SiCoNi预清洗进行所述SPT预处理步骤时，控制从自对准硅化物工艺到SPT预处理步骤的等待时间为0-72h，从SPT预处理步骤到所述SPT工艺步骤的等待时间为0-1h。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SPT预处理步骤选用HF预清洗。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，选用HF预清洗作为所述SPT预处理步骤时，控制从自对准硅化物工艺到SPT预处理步骤的等待时间为0-72h，从所述SPT预处理步骤到所述SPT工艺步骤的等待时间为0-1h。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SPT工艺步骤中包括去除所述硬掩膜层和所述间隙壁的步骤，在该步骤中采用热磷酸去除所述硬掩膜层和所述间隙壁。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制所述自对准硅化物工艺到所述SPT工艺步骤的等待时间为0-4h，以减少所述氧化物层的形成量。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述虚拟栅极和所述间隙壁的方法为：

在所述半导体衬底上形成多晶硅材料层；

在所述多晶硅材料层上形成图案化的硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述多晶硅材料层，以形成所述虚拟栅极；

在所述虚拟栅极的侧壁上形成偏移侧壁，并执行LDD离子注入，以在所述虚拟栅极两侧的半导体衬底中形成浅掺杂区；

在所述偏移侧壁上形成所述间隙壁。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述SPT工艺步骤之后，所述方法还包括：

在所述半导体衬底上形成接触孔蚀刻停止层；

沉积层间介电层并平坦化，以填充所述半导体器件中的间隙；

去除所述虚拟栅极，然后形成金属栅极；

在所述金属栅极上方形成金属层以及接触孔，以形成电连接。