[发明专利]一种全碳同轴线及其制备方法

权利要求书

1.一种全碳同轴线，其特征在于，用单层或多层石墨烯卷成圆柱体作为同轴线的内导体，在所述内导体的外侧包裹单层或多层石墨烯作为同轴线的外导体，且所述内导体和外导体之间填充氧化石墨作为介质材料。

2.如权利要求1所述的全碳同轴线，其特征在于，所述内导体截面半径为0.2nm～500nm。

3.如权利要求1所述的全碳同轴线，其特征在于，所述介质材料厚度为1nm～2000nm。

4.如权利要求1所述的全碳同轴线，其特征在于，所述外导体的厚度为0.34nm～100nm。

5.一种权利要求1所述的全碳同轴线的制备方法，包括以下步骤：

(1)制备单层或多层石墨烯；

(2)把单层或多层石墨烯卷曲成圆柱体，构成同轴线的内导体；

(3)在所述内导体的表面淀积或包裹一层氧化石墨作为介质材料；

(4)在所述氧化石墨的表面再包裹一层或多层石墨烯构成同轴线的外导体。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中通过机械剥离、化学气相沉积、碳化硅表面外延生长或溶剂热合成方法生成单层、双层或多层石墨烯。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中采用机械卷曲的方法或把石墨烯放入去离子水、乙醇、丙酮或异丙醇溶液中让其自卷形成同轴线的内导体。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中氧化石墨通过使用氯酸钾和硝酸氧化石墨的方法得到，或通过使用高锰酸钾和硫酸氧化石墨的方法制得。