[发明专利]显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

晶体管，包括：

第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层；

通过所述第二氧化物半导体层电连接于所述第一氧化物半导体层的源电极；

通过所述第三氧化物半导体层电连接于所述第一氧化物半导体层的漏电极；

在所述第一氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；以及

在所述栅极绝缘膜上的栅电极；和

电容器，包括：

在所述第三氧化物半导体层上并与之接触的第一电极，所述第一电极包括与所述晶体管的所述源电极和所述漏电极相同的材料；以及

所述第一电极上的第二电极，

其中，所述第一氧化物半导体层包括凹陷部分，

其中，所述栅电极与所述凹陷部分重迭，

其中，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每一个包括铟、镓和锌，以及

其中，所述第一氧化物半导体层的电阻率大于所述第二氧化物半导体层的电阻率和所述第三氧化物半导体层的电阻率。

2.一种半导体器件，包括：

晶体管，包括：

第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层；

通过所述第二氧化物半导体层电连接于所述第一氧化物半导体层的源电极；

通过所述第三氧化物半导体层电连接于所述第一氧化物半导体层的漏电极；

在所述第一氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；以及

在所述栅极绝缘膜上的栅电极；和

电容器，包括：

在所述第三氧化物半导体层上并与之接触的第一电极，所述第一电极包括与所述晶体管的所述源电极和所述漏电极相同的材料；以及

所述第一电极上的第二电极，

其中，所述源电极和所述漏电极设置在所述第一氧化物半导体层上，

其中，所述第一氧化物半导体层包括凹陷部分，

其中，所述凹陷部分的厚度小于所述第一氧化物半导体层的与所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层重迭的部分的厚度，

其中，所述栅电极与所述凹陷部分重迭，

其中，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层中的每一个包括铟、镓和锌，以及

其中，所述第一氧化物半导体层的电阻率大于所述第二氧化物半导体层的电阻率和所述第三氧化物半导体层的电阻率。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层的每一个与所述第一氧化物半导体层接触。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化物半导体层的成分比例不同于所述第二氧化物半导体层的成分比例。

5.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化物半导体层包括晶体结构。

6.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化物半导体层具有锥形侧表面。

7.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是显示设备。

8.一种包括如权利要求1或2所述的半导体器件的电子设备，其还包括扬声器、操作按键、和天线中的至少一个。