[发明专利]有机发光二极管显示器

权利要求书

1.有机发光二极管显示器，其包括：

包括多个像素和多个非像素区域的衬底；

布置在所述像素中的薄膜晶体管；

与所述薄膜晶体管连接并且布置在所述像素中的有机发光元件；

布置在所述有机发光元件上的封装部件；以及

布置在所述封装部件之上或之下并且包括第一部分和第二部分的外部光遮蔽部件，所述外部光遮蔽部件布置在所述像素和所述非像素区域中，

其中所述第一部分的厚度比所述第二部分的厚度薄，并且其中所述第一部分布置在所述像素中，并且所述第二部分布置在所述非像素区域中。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述外部光遮蔽部件包括下部外部光遮蔽部件和上部外部光遮蔽部件。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述下部外部光遮蔽部件包括凹槽部分，并且所述凹槽部分布置在所述像素中。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述上部外部光遮蔽部件布置在所述下部外部光遮蔽部件上。

5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器，其中所述上部外部光遮蔽部件包括以下至少之一：金属层、金属氧化物层、金属氮化物层、介电层以及黑色层，并且其中所述上部外部光遮蔽部件具有在所述下部外部光遮蔽部件上的均匀厚度。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述金属层包含选自以下的材料：铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、金(Au)、钽(Ta)、铜(Cu)、钙(Ca)、钴(Co)、铁(Fe)、钼(Mo)、钨(W)、铂(Pt)、镱(Yb)、镍硫化物(NiS)或它们的合金，

所述金属氧化物层包含铬氧化物(CrO_x)、铜氧化物(CuO_x)和钼氧化物(MoO_x)之一，

所述金属氮化物层包含钛氮化物(TiN_x)、TiAlN_x和铬氮化物(CrN_x)之一，以及

其中所述黑色层包括包含炭黑或黑色染料的聚合物材料。

7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述上部外部光遮蔽部件包括所述金属层、所述金属氧化物层或所述金属氮化物层，并且具有不大于50nm的厚度。

8.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述介电层包含以下至少之一：二氧化硅(SiO₂)、二氧化钛(TiO₂)、氟化锂(LiF)、氟化钙(CaF₂)、氟化镁(MgF₂)、硅氮化物(SiN_x)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、五氧化二铌(Nb₂O₅)、硅碳氮化物(SiCN)、硅氧化物(SiO_x)、钛氧化物(TiO_x)、氧化锆(ZrO₂)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钇(Y₂O₃)、四氟化钍(ThF₄)、钇氟化物(YF₃)、铝氧化物(Al_xO_y)、硅氧氮化物(SiO_xN_y)、锆氧氟化物(ZrO_xF_y)、硅氧氟化物(SiO_xF_y)、铝氧氮化物(AlO_xN_y)、基于丙烯酸酯的聚合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚酯、聚乙烯以及聚对苯二甲酸乙二酯。

9.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述介电层具有不大于1μm的厚度。