[发明专利]一种提拉法生长人工晶体的装置

权利要求书

1.一种提拉法生长人工晶体的装置，包括炉体、晶体提升机构、晶转装置和与晶体提升机构连接的提升平台，其特征在于，还包括双支撑结构，所述双支撑结构包括称重翻板和等高安装在提升平台上的称重支座、称重传感器，称重支座和称重传感器位于称重翻板的下方并对称地与称重翻板两端连接形成称重翻板的两个支撑点，晶转装置安装在称重翻板上方且其重心落于称重翻板的中心。

2.根据权利要求1所述的提拉法生长人工晶体的装置，其特征在于，所述称重翻板一端通过铰链机构与称重支座铰接，其另一端通过接触杆与称重传感器连接。

3.根据权利要求2所述的提拉法生长人工晶体的装置，其特征在于，所述接触杆为球形接触杆，其一端为半球形结构，该半球形结构与称重传感器连接形成点面接触。

4.根据权利要求1所述的提拉法生长人工晶体的装置，其特征在于，所述晶转装置包括晶体提拉杆、晶体旋转机构和与晶体旋转机构连接的晶转传动支撑装置，晶转传动支撑装置安装在称重翻板上，晶体旋转机构和晶转传动支撑装置均位于称重翻板上方且重心落在称重翻板的中心，晶体提拉杆一端与晶转传动支撑装置连接，其另一端向下穿过称重翻板上的中心孔和提升平台上的中心孔进入炉体内部。

5. 根据权利要求4所述的提拉法生长人工晶体的装置，其特征在于，所述晶体旋转机构通过法兰连接于晶转传动支撑装置上。

6.根据权利要求4所述的提拉法生长人工晶体的装置，其特征在于，还包括相互扣合的上盖板和下盖板，晶转装置、双支撑机构和提升平台位于上盖板和下盖板扣合后的空间内，晶体提拉杆一端穿过提升平台上的中心孔后还穿过下盖板进入炉体内部。

7.根据权利要求6所述的提拉法生长人工晶体的装置，其特征在于，所述下盖板下方通过波纹管与炉体连通，晶体提拉杆一端穿过下盖板后还穿过波纹管进入炉体内部。

8.根据权利要求1所述的提拉法生长人工晶体的装置，其特征在于，所述称重传感器为电磁力传感器。

9.根据权利要求1至7任一项所述的提拉法生长人工晶体的装置，其特征在于，所述晶体提升机构包括晶升电机、晶升丝杆和滑台，晶升电机与晶升丝杆连接，滑台可滑动安装在晶升丝杆上且滑台与提升平台连接。