[发明专利]位移控制单元有效

专利信息
申请号: 201410117601.0 申请日: 2014-03-27
公开(公告)号: CN104134423A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 蔡永胜 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G11C19/28
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;田景宜
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 位移 控制 单元
【说明书】:

技术领域

发明提供一种位移控制单元,尤指一种用于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示装置中的可调整发光脉冲宽度的位移控制单元。

背景技术

有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Diode,OLED)拥有高亮度、反应速度快、轻薄短小、广色域、高对比、视野范围广、不需要液晶显示装置的背光源以及低耗电量等优点,逐渐成为新一代可携式资讯产品及笔记型电脑普遍使用的显示装置,然而,其需要设计适当的栅极驱动电路以保证其稳定工作与显示品质。

一般来说,有机发光二极管显示装置中的栅极驱动电路会产生多个发光脉冲信号及多个扫描信号来控制多个OLED像素的灰阶表现及发光时间,而栅极驱动电路以多级的移位寄存器做为重要的核心电路,每一级的移位寄存器包含位移控制单元,位移控制单元包含多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)开关以及多个电容。而移位寄存器也是除了画面像素电路之外,在面板内部最重要且最多的数字电路。因此,移位寄存器在电路架构设计上,除了基本功能要能够正常工作外,其内部的位移控制单元也必需考量功率消耗,制成容忍度及布局面积等相关问题。

然而,现有的位移控制单元由于晶体管特性,常常在高低电位之间存在漏电路径而导致栅极驱动电路输出的发光脉冲信号及扫描信号失真而影响显示器影像品质。另外,由于位移控制单元电路所需的TFT开关甚多,当移位寄存器的级数很大时会花费大量的布局面积及功率消耗,此外,利用位移控制单元实现的栅极驱动电路只能接受最多两个系统时钟脉冲宽度的脉冲信号的输出及输入,如此将造成每一个OLED像素发光时间被限制为最多两个时钟脉冲,因此当OLED显示装置在特殊应用上欲延长其发光时间时,位移控制单元电路将无法有弹性的被应用在栅极驱动电路中。

发明内容

本发明提供一种位移控制单元,包含第一晶体管,包含第一端用以接收输入脉冲信号,控制端用以接收第一时钟脉冲信号,及第二端;第二晶体管,包含第一端用以接收第二时钟脉冲信号,控制端,及第二端;第一电容,包含第一端耦接于该第二晶体管的第二端,及第二端耦接于该第一晶体管的第二端;第三晶体管,包含第一端用以接收第一直流偏压,控制端耦接于该第一晶体管的第二端,及第二端;第二电容,包含第一端用以接收该第一时钟脉冲信号,及第二端耦接于该第三晶体管的第二端;第四晶体管,包含第一端用以接收第二直流偏压,控制端耦接于该第一晶体管的第二端,及第二端耦接于该第二晶体管的控制端,用以输出一发光脉冲信号;及第五晶体管,包含第一端耦接于该第四晶体管的第二端;一控制端耦接于该第三晶体管的第二端,及一第二端用以接收该第一直流偏压。

本发明另提供一种位移控制单元,包含第一晶体管,包含第一端用以接收输入脉冲信号,控制端用以接收第一时钟脉冲信号,及第二端;第二晶体管,包含第一端用以接收第二时钟脉冲信号,控制端,及第二端;第一电容,包含第一端耦接于该第二晶体管的第二端,及第二端耦接于该第一晶体管的第二端;第二电容,包含第一端用以接收该第一时钟脉冲信号,及第二端;第三晶体管,包含第一端耦接于该第二电容的第二端,控制端耦接于该第一晶体管的第二端,及第二端用以接收第二直流偏压;第四晶体管,包含第一端用以接收第一直流偏压,控制端耦接于该第一晶体管的第二端,及第二端耦接于该第二晶体管的控制端,用以输出发光脉冲信号;及第五晶体管,包含第一端耦接于该第四晶体管的第二端,控制端耦接于该第三晶体管的第一端,及第二端用以接收该第二直流偏压。

附图说明

图1为本发明第一实施例的位移控制单元的电路示意图。

图2为图1位移控制单元的输入脉冲信号、第一时钟脉冲信号、第二时钟脉冲信号及发光脉冲信号在十个时钟脉冲区间内的波形图。

图3为本发明第二实施例的位移控制单元的电路示意图。

其中,附图标记:

N1                第一N型金氧半导体场效晶体管

N2                第二N型金氧半导体场效晶体管

N3                第三N型金氧半导体场效晶体管

N4                第四N型金氧半导体场效晶体管

N5                第五N型金氧半导体场效晶体管

P1                第一P型金氧半导体场效晶体管

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