[发明专利]有机电致发光装置的制造方法在审
申请号: | 201410117756.4 | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN104078422A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 佐藤久克;村田贤志 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56 |
代理公司: | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;苏萌萌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 装置 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光装置的制造方法,其特征在于,
所述有机电致发光装置包括第一像素和第二像素,
所述第一像素具有第一绝缘层、被设置于所述第一绝缘层之上的第一反射膜、被设置于所述第一反射膜之上的第二绝缘层、被设置于所述第二绝缘层之上的第一像素电极、被设置于所述第一像素电极之上的第一发光层、被设置于所述第一发光层之上的第一对置电极,并且所述第一像素在所述第一反射膜与所述第一对置电极之间使第一色的光共振,
所述第二像素具有所述第一绝缘层、被设置于所述第一绝缘层之上的第三绝缘层、被设置于所述第三绝缘层之上的第二反射膜、被设置于所述第二反射膜之上的所述第二绝缘层、被设置于所述第二绝缘层之上的第二像素电极、被设置于所述第二像素电极之上的第二发光层、被设置于所述第二发光层之上的第二对置电极,并且所述第二像素在所述第二反射膜与所述第二对置电极之间使第二色的光共振,
所述有机电致发光装置的制造方法包括:
在所述第一绝缘层之上形成所述第三绝缘层的工序;
通过对所述第三绝缘层进行蚀刻从而去除第一像素区域的所述第三绝缘层的工序;
在以连续覆盖所述第一反射膜以及所述第二反射膜的方式而形成了前驱体绝缘层之后,通过对所述前驱体绝缘层的上表面进行平坦化处理,从而在所述第一像素与所述第二像素中具有各自不同的膜厚,并且,形成具有作为平坦面的第一面的所述第二绝缘层的工序;
在所述第二绝缘层的所述第一面之上形成所述第一像素电极以及所述第二像素电极的像素电极形成工序,
所述第一绝缘层与所述第三绝缘层相比,通过所述蚀刻而被去除的速度较慢。
2.如权利要求1所述的有机电致发光装置的制造方法,其特征在于,
所述第一反射膜与所述第二反射膜被一体地形成。
3.如权利要求1或2所述的有机电致发光装置的制造方法,其特征在于,
在形成所述第二绝缘层的工序中,
形成所述前驱体绝缘层的工序包括,在所述第一反射膜以及所述第二反射膜之上形成第四绝缘层的工序、和在所述第四绝缘层之上形成第五绝缘层的工序,
在所述平坦化处理工序中,包括通过对所述第五绝缘膜进行化学机械研磨处理从而去除第二像素区域的所述第五绝缘层的工序,
所述第四绝缘层与所述第五绝缘层相比,通过所述化学机械研磨处理而被去除的速度较慢。
4.如权利要求3所述的有机电致发光装置的制造方法,其特征在于,
所述第四绝缘层为氮化硅,所述第五绝缘层为氧化硅。
5.如权利要求1至4中的任意一项所述的有机电致发光装置的制造方法,其特征在于,
所述第一绝缘层为氮化硅,所述第三绝缘层为氧化硅。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造