[发明专利]电容性传感器

权利要求书

1.一种电容性传感器，其包括：

至少第一和第二导电区，使得第一电容被形成在所述第一导电区和表面之间，并且第二电容被形成在所述第二导电区和所述表面之间；并且所述第一电容与所述第二电容的比率仅当所述电容性传感器在与所述表面相距预定距离处时具有预定值。

2.根据权利要求1所述的电容性传感器，其中所述第一电容与所述第二电容的所述比率的所述预定值在所述电容性传感器在与所述表面相距预定距离处时等于1。

3.根据权利要求1所述的电容性传感器，其中所述第一电容与所述第二电容的所述比率的所述预定值在所述电容性传感器在与所述传感器相距预定距离处时不等于1。

4.根据权利要求1所述的电容性传感器，进一步包括凹陷在所述电容性传感器的表面下方的所述第一和第二导电区中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的电容性传感器，进一步包括在所述第一和第二导电区中的至少一个与所述表面之间的介电层。

6.根据权利要求1所述的电容性传感器，进一步包括所述电容性传感器上的至少四个导电区的阵列。

7.根据权利要求1所述的电容性传感器，其中所述电容性传感器在磁盘驱动器的磁头上。

8.根据权利要求7所述的电容性传感器，其中所述表面是磁盘的表面。

9.根据权利要求1所述的电容性传感器，其中所述预定距离是在衬底上的薄膜的预定厚度。

10.根据权利要求9所述的电容性传感器，其中所述表面是所述衬底上的表面。

11.一种电路，其包括：

电容性电桥，其包括与第一传感器电容串联的第一参考电容，以及与第二传感器电容串联的第二参考电容，其中所述第一和第二传感器电容被形成在电容性传感器上的导电区和表面之间；

比较器，其比较第一电压和第二电压，该第一电压来自所述第一参考电容与所述第一传感器电容的接合点，该第二电压来自所述第二参考电容与所述第二传感器电容的接合点。

12.根据权利要求11所述的电路，其中所述比较器的输出仅在所述第一与第二电压的比率等于预定值时为零。

13.根据权利要求11所述的电路，其中所述导电区在磁盘驱动器的磁头上，并且所述表面是磁盘的表面。

14.一种方法，其包括：

测量来自第一和第二电容的第一和第二电压，其中所述第一和第二电容被形成在表面和电容性传感器上的导电区之间；以及

当所述第一与第二电压的比率等于预定比率时，确定所述电容性传感器在与所述表面相距预期距离处。