[发明专利]一种基于CVD法合成的单根纳米线热导率的测量方法

权利要求书

1.一种基于CVD法合成的单根半导体纳米线热导率的测量方法，包括下述步骤：

步骤一

取一根采用CVD法于T₁温度下沉积得到的纳米线，将所取纳米线一端固定在碳导电胶上，另一端悬空，悬空部分长度为8-12微米；然后，用垂直于纳米线轴线的聚焦激光束加热悬空端的端部，然后增加聚焦激光束的净输出功率，至悬空端的端部熔融时，停止加热，同时，记录此时聚焦激光束的净输出功率p∞；所述聚焦激光束在过纳米线轴线且与激光束垂直的平面上的“艾里斑”的直径为D₀，且“艾里斑”的圆心落在纳米线上；

步骤二

利用扫描电镜精确测量纳米线悬空部分的长度L和直径D；然后利用公式（1），计算得出实验纳米线的热导率K，

k=4Lβ(1-γ)(∫02π∫0D/2c×e-r2/w2drdθ+2∫D/2D0/2c×e-D2/4+x2W2×2D2/4+x2×arcsinD2D2/4+x2)ΔTπD2---(1)]]>

公式（1）中，

L为纳米线悬空部分的长度；D为纳米线的直径；p_∞为纳米线熔融时聚焦激光束的净输出功率，D₀为“艾里斑”的直径；

纳米线对所用聚焦激光束的吸收率其中：l为光在纳米线中的传播距离，l的取值范围为0-D；α是纳米线对所用聚焦激光束的吸收系数；

γ为纳米线对所用聚焦激光束的反射率；

聚焦激光束的功率面密度c=P∞In6.25π(D0/2)2;]]>

聚焦激光束能量高斯分布的标准偏差

x为纳米线上“艾里斑”内的某点到“艾里斑”圆心的距离，

以“艾里斑”圆心为直角坐标系的原点，θ为“艾里斑”中所取点到原点的连线与x轴组成的夹角；

ΔT=T₁-T₀，T₁为纳米线的沉积温度，T₀为室温。