[发明专利]一种纳米银离子真空高能束流电镀工艺

权利要求书

1.一种纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，包括以下步骤：

A、将银盐和保护剂加入水中，再加入碱性溶剂调节PH值，使PH值处于7.5～11；

B、加入还原剂，加热搅拌反应得到纳米银离子；

C、向真空室内通入一定压力的氩气，将基材在所述真空室内利用等离子体或离子源设备进行轰击处理；

D、将步骤B得到的所述纳米银离子加入到所述真空室内，对所述基材进行真空磁控溅射，同时利用高能束流经透镜聚焦后投射到基材表面，完成电镀。

2.根据权利要求1所述的纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，所述步骤A中所述银盐为硝酸银，所述保护剂为乙酸、丙酸、丁酸、亚油酸、聚乙二醇、聚丙烯醇、六偏磷酸钠和聚乙烯吡咯烷酮中的一种或几种，所述碱性溶液为氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或两种。

3.根据权利要求1所述的纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，所述步骤B中所述还原剂为硼氢化钠、硼氢化钾、偏磷酸钠、偏磷酸钾、柠檬酸钠或柠檬酸钾中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，所述步骤B中所述加热的温度为65℃～85℃。

5.根据权利要求1所述的纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，所述步骤B中所述搅拌的时间为15min～30min。

6.根据权利要求1所述的纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，所述步骤C中所述基材为纱线。

7.根据权利要求1所述的纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，所述步骤C中所述真空室的真空度小于50Pa，温度小于50℃，所述基材的运行速度为0.5～2m/min。

8.根据权利要求1所述的纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，所述步骤C中所述轰击处理的时间为15min～30min。

9.根据权利要求1所述的纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，所述步骤D中所述真空室的真空度小于0.3Pa，温度小于100℃，所述基材的运行速度为0.5～2m/min。

10.根据权利要求1所述的纳米银离子真空高能束流电镀工艺，其特征在于，所述步骤D中所述高能束流为激光。