[发明专利]大电流半导体器件的封装工艺在审
| 申请号： | 201410119228.2 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103887188A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 江炳煌 | 申请（专利权）人： | 福建福顺半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350001 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 半导体器件 封装 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种大电流半导体器件的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S01：设计一承载框架和一与所述承载框架对应的接触导电框架；
S02：在所述承载框架上先点锡膏，再上芯片，以利于将芯片黏贴于所述承载框架上；
S03：在芯片的铝垫上点锡膏，再将所述接触导电框架对位后压平；
S04：将所述步骤S03中对位后的承载框架和接触导电框架进行高温回流焊；
S05：将所述步骤S04中过高温回流焊的承载框架和接触导电框架进行塑封。
2.根据权利要求1所述的大电流半导体器件的封装工艺，其特征在于：所述承载框架包括一用于承载芯片的承载位。
3.根据权利要求2所述的大电流半导体器件的封装工艺，其特征在于：所述承载框架还包括一个或多个有利于大电流通过的引脚。
4.根据权利要求3所述的大电流半导体器件的封装工艺，其特征在于：所述引脚个数为2个。
5.根据权利要求1所述的大电流半导体器件的封装工艺，其特征在于：所述接触导电框架包括一用于与芯片的铝垫接触的触片。
6.根据权利要求5所述的大电流半导体器件的封装工艺，其特征在于：所述接触导电框架还包括一个或多个有利于大电流通过的引脚。
7.根据权利要求6所述的大电流半导体器件的封装工艺，其特征在于：所述引脚个数为2个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
