[发明专利]功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法有效

专利信息
申请号: 201410119568.5 申请日: 2014-03-27
公开(公告)号: CN104078428B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 英戈·博根;克里斯蒂安·约布尔;帕特里克·格拉施尔;约恩·格罗斯曼;克里斯蒂安·沃尔特 申请(专利权)人: 赛米控电子股份有限公司
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L21/50
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 李楠,安翔
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 模块 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种功率半导体模块,其具有基底(19)和布置在所述基底(19)上的并且与所述基底(19)连接的功率半导体结构元件(22),其中,所述功率半导体模块(14)具有第一壳体件(13)和形成结构单元的直流电压负载连接设备(1),所述第一壳体件具有凹隙(15),其中,所述直流电压负载连接设备(1)具有导电的第一直流电压负载连接元件(2)和导电的第二直流电压负载连接元件(5),所述第一直流电压负载连接元件和所述第二直流电压负载连接元件分别与至少一个功率半导体结构元件(22)导电连接,其中,所述第一直流电压负载连接元件(2)具有布置在所述第一壳体件(13)外部的第一外部连接区段(3),而所述第二直流电压负载连接元件(5)具有布置在所述第一壳体件(13)外部的第二外部连接区段(6),其中,所述第一直流电压负载连接元件(2)具有布置在所述第一壳体件(13)内部的第一内部连接区段(4),而所述第二直流电压负载连接元件(5)具有布置在所述第一壳体件(13)内部的第二内部连接区段(7),其中,所述第一直流电压负载连接元件(2)具有布置在所述凹隙(15)中的第一穿通区段(10),而所述第二直流电压负载连接元件(5)具有布置在所述凹隙(15)中的第二穿通区段(11),其中,在所述第一穿通区段(10)与所述第二穿通区段(11)之间构造有间隙(12),其中,所述第一穿通区段(10)和所述第二穿通区段(11)利用不导电的弹性体(8)来包裹,并且所述弹性体(8)填充所述间隙(12),其中,所述弹性体(8)与所述第一穿通区段(10)和所述第二穿通区段(11)材料锁合地连接,并且与所述第一壳体件(13)非材料锁合地连接,其中,所述弹性体(8)将所述第一穿通区段(10)和所述第二穿通区段(11)相对于所述第一壳体件(13)密封。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块,其特征在于,所述弹性体(8)构造为硅酮。

3.根据前述权利要求之一所述的功率半导体模块,其特征在于,所述弹性体(8)构造出密封唇(9),其中,所述密封唇(9)相对于所述第一壳体件(13)按压。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述功率半导体模块(14)具有第二壳体件(27),其中,所述第二壳体件(27)与所述第一壳体件(13)连接,其中,在所述第一壳体件(13)与所述第二壳体件(27)之间并且在所述弹性体(8)与所述第二壳体件(27)之间布置有密封装置(28),所述密封装置将所述第二壳体件(27)相对于所述第一壳体件(13)密封并且将所述第二壳体件(27)相对于所述弹性体(8)密封。

5.根据权利要求4所述的功率半导体模块,其特征在于,所述密封装置(28)与所述第二壳体件(27)材料锁合地连接。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述间隙(12)超过布置在所述凹隙(15)中的第一穿通区段(10)和第二穿通区段(11)的长度(l1)地延伸,并且所述弹性体(8)在所述间隙(12)的整个长度(l2)上填充所述间隙(12),并且所述第一直流电压负载连接元件(2)和所述第二直流电压负载连接元件(5)在所述间隙(12)的整个长度上(l2)上被所述弹性体(8)所包裹。

7.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块,其特征在于,所述弹性体(8)在所有三个空间方向(X、Y、Z)上与所述第一直流电压负载连接元件(2)和所述第二直流电压负载连接元件(5)形状锁合地连接。

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