[发明专利]一种铜基硫族固溶体薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201410119919.2 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104947034A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张海涛;张晓琨;向勇 | 申请（专利权）人： | 向勇 |
| 主分类号： | C23C8/72 | 分类号： | C23C8/72;C23C30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜基硫族 固溶体 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铜基硫族固溶体薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：
a,提供一个衬底；
b,将含有铜及其它金属的预制层沉积到衬底上成为前驱体；
c,将前驱体放入耐高温容器；
d,将一定比例的硫和硒放入容器中；
e,将容器抽真空后充入保护气体并密封；
f,进行热处理,此过程中固溶体即形成。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述衬底为玻璃、硅片、不锈钢、聚酰亚胺中的一种。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：所述的金属预制层沉积方式为叠层沉积或者三种金属的合金沉积。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：耐高温容器可以是玻璃容器，石英容器或陶瓷容器。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：硫和硒的比例可以是任意比例。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：保护气体为氮气或氩气。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：热处理温度为100到1000℃。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征是：热处理时间为5到240分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于向勇，未经向勇许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410119919.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
