[发明专利]存储器件、以及存储器件和存储系统的操作方法

权利要求书

1.一种存储器件的操作方法，包括以下步骤：

进入修复模式；

响应于所述修复模式的进入而将设定数据的输入路径从设定路径改变成修复路径；

与设定命令一起接收所述设定数据；

在所述接收被重复设定的次数之后结束所述修复模式；

响应于所述修复模式的结束而将所述设定数据的所述输入路径从所述修复路径改变成所述设定路径；以及

利用所述设定数据而将用于所述存储器件的缺陷存储器单元的修复地址编程至非易失性存储器，

其中，在与所述设定命令一起接收所述设定数据的步骤中，在时钟的上升沿处传送所述设定命令，而在所述时钟的下降沿处传送所述设定数据。

2.如权利要求1所述的操作方法，其中，在所述存储器件的存储器阵列中，与编程至所述非易失性存储器的所述修复地址相对应的存储器单元用冗余存储器单元来代替。

3.如权利要求1所述的操作方法，其中，所述存储器件包括LPDDR低功率双倍数据速率存储器件。

4.一种存储器件，包括：

命令输入单元，所述命令输入单元适用于接收一个或更多个命令信号；

命令/地址输入单元，所述命令/地址输入单元适用于接收多个命令/地址信号；

命令解码器，所述命令解码器适用于对所述命令信号和所述命令/地址信号进行解码，以确定是否进入修复模式并且产生设定命令；

设定电路，所述设定电路适用于：响应于不同于所述修复模式的其它模式中的所述设定命令，而利用通过所述命令/地址输入单元输入的信号来设定所述存储器件；以及

非易失性存储器电路，所述非易失性存储器电路适用于：响应于所述修复模式中的所述设定命令，而利用通过所述命令/地址输入单元输入的信号来编程用于所述存储器件的缺陷存储器单元的修复地址，

其中，所述非易失性存储器电路包括：

非易失性存储器；

多个管道锁存器，所述多个管道锁存器适用于存储通过所述命令/地址输入单元输入的信号的设定数据；

地址/数据分类部，所述地址/数据分类部适用于将存储在所述多个管道锁存器中的所述设定数据分类成地址和数据；以及

控制部，所述控制部适用于：控制通过所述地址/数据分类部分类的所述数据以被编程至所述非易失性存储器中的由所述地址/数据分类部分类的所述地址所表示的位置。

5.如权利要求4所述的存储器件，还包括：

存储器阵列，所述存储器阵列包括多个存储器单元；

寄存器，所述寄存器适用于在所述存储器件的初始操作中接收并存储所述非易失性存储器电路中存储的所述修复地址；以及

修复电路，所述修复电路适用于将所述存储器阵列中的与所述寄存器中存储的所述修复地址相对应的存储器单元用冗余存储器单元来代替。

6.如权利要求4所述的存储器件，其中，所述命令解码器通过解码来确定是否进入所述修复模式，在进入所述修复模式时激活修复模式信号。

7.如权利要求6所述的存储器件，还包括：

路径选择单元，所述路径选择单元适用于：响应于所述修复模式信号，而将通过所述命令/地址输入单元输入的所述信号传送至所述设定电路或者所述非易失性存储器电路。

8.如权利要求6所述的存储器件，其中，在进入所述修复模式之后所述设定命令被激活设定的次数时，所述命令解码器去激活所述修复模式信号。

9.如权利要求4所述的存储器件，其中，所述存储器件包括LPDDR低功率双倍数据速率存储器件。