[发明专利]以碲化锌为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法有效
申请号: | 201410120455.7 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN103904148A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 张克难;陈鑫;魏调兴;董文静;张云;孙艳;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0296 | 分类号: | H01L31/0296;H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碲化锌 空穴 传输 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池领域,具体涉及一种以碲化锌为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
随着传统能源的消耗,能源危机及环境问题已经成为当前世界面临的严重问题,绿色、安全、取之不尽的太阳能使光伏发电成为解决人类能源危机与环境污染的理想方案。高的光电转换效率和低的制造成本是能普及推广光伏发电的前提条件。因此,兼具高效率和低成本的太阳能电池是人们在能源领域不断追求的目标。
在现在太阳能实际应用中,硅光电池以其成熟的工艺,较高的光电转化效率在各类光伏器件中占主导地位。但其昂贵的价格限制了硅电池的广泛应用。目前,商用太阳能电池市场上占主导地位的硅太阳能电池仍不能满足低成本的要求。而2009年出现的以具有钙钛矿晶体结构的有机金属卤化物为吸光层的太阳能电池(简称钙钛矿太阳能电池)近年来快速发展,2013年其实验室光电转换效率已达到15%,并有望在未来几年突破20%,其高效率,低成本的特点使其成为最具市场潜力的新型太阳能电池。
钙钛矿太阳能电池由透明导电电极、电子传输层、钙钛矿结构吸光层、空穴传输层和正电极组成。目前广泛使用的空穴传输层是大分子有机物,而其成本高,稳定性差,从而限制了钙钛矿电池长期使用的要求。因此,采用稳定性较好的无机物作为钙钛矿太阳能电池的空穴传输层对于推进钙钛矿太阳能电池的实际应用具有很大的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种以碲化锌作为钙钛矿太阳能电池空穴传输层的设计方案。
本发明的设计方案在于该太阳能电池的吸光层与正电极之间的空穴传输层为碲化锌。该钙钛矿太阳能电池包括:透明导电电极、电子传输层、钙钛矿结构吸光层、碲化锌空穴传输层和正电极。
所述的钙钛矿太阳能电池的结构为:在碲化锌空穴传输层4上依次为钙钛矿结构吸光层3、电子传输层2和透明导电电极1,正电极5制备在碲化锌空穴传输层4的背面;
所述的碲化锌空穴传输层4的厚度为1nm-300nm。
以碲化锌为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池的制备方法有正向制备和反向制备有两种方法;具体如下:
正向制备方法步骤如下:首先,在透明导电电极1上采用水热法或原子层沉积或旋涂工艺制备电子传输层2;接着采用旋涂工艺制备钙钛矿结构吸光层3;然后采用旋涂、原子层沉积、磁控溅射或热蒸发方法制备碲化锌空穴传输层4;最后在碲化锌空穴传输层4背面沉积正电极完成太阳能电池的制备;
反向制备方法步骤如下:首先在中间衬底上按正向制备方法中相同工艺依次制备正电极5、碲化锌空穴传输层4、钙钛矿结构吸光层3、电子传输层2;然后采用磁控溅射工艺制备透明导电电极1,最后,去除中间衬底完成太阳能电池的制备。所述的中间衬底可采用适合制备工艺的任意材料。
本发明的优点在于:碲化锌空穴传输层比有机物作为空穴传输层具有更优异的化学稳定性和较低的成本。
附图说明
图1为本发明的以碲化锌为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池结构示意图。
具体实施方式
实施例1:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电电极和依次层叠于该电极上的电子传输层、钙钛矿结构吸光层、厚度为10nm的碲化锌纳米颗粒空穴传输层和金正电极。
实施例2:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电电极和依次层叠于该电极上的电子传输层、钙钛矿结构吸光层、通过原子层沉积制备的厚度为1nm的碲化锌空穴传输层和银正电极。
实施例3:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电电极和依次层叠于该电极上的电子传输层、钙钛矿结构吸光层、通过磁控溅射制备的厚度为50nm的碲化锌空穴传输层和铂电极。
实施例4:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电电极和依次层叠于该电极上的电子传输层、钙钛矿结构吸光层、通过热蒸发制备的厚度为100nm的碲化锌空穴传输层和金正电极。
实施例5:
钙钛矿太阳能电池结构为:金正电极,通过原子层沉积在金正电极上制备的厚度为150nm的碲化锌空穴传输层,依次层叠于碲化锌空穴传输层上的钙钛矿结构吸光层、电子传输层、和透明导电电极。
实施例6:
钙钛矿太阳能电池结构为:银正电极,通过磁控溅射在银正电极上制备的厚度为200nm的碲化锌空穴传输层,依次层叠于碲化锌空穴传输层上的钙钛矿结构吸光层、电子传输层、和透明导电电极。
实施例7:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的