[发明专利]等离子体刻蚀AlSi的方法

权利要求书

1.一种等离子体刻蚀AlSi的方法，其特征在于：该方法步骤为：

1）在硅片上完成了金属化前的图形后，在所述具有金属化前图形的硅片上溅射一层AlSi薄膜；

2）在所述具有AlSi薄膜的硅片上、通过光刻、形成AlSi腐蚀窗口；

3）在所述具有AlSi腐蚀窗口的硅片上、通过等离子刻蚀、去除腐蚀窗口区域的AlSi；

4）在所述去除腐蚀窗口区域的AlSi的硅片上、去除腐蚀窗口区域残留的硅渣；

5）在所述去除腐蚀窗口区域残留硅渣的硅片上、去除腐蚀窗口区域残留的聚合物点子；

6）在所述去除腐蚀窗口区域残留的聚合物点子的硅片上、去除光刻胶。

2.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀AlSi的方法，其特征在于：所述在具有金属化前图形的硅片上溅射一层AlSi薄膜的步骤为：

(1)在硅片上，通过离子注入、扩散、氧化、薄膜淀积，光刻和刻蚀的常规半导体金属化前的工艺，形成独立的电路元件即晶体管、两极管、电容器和电阻器等，以及形成接触孔；

(2)进行丙酮、乙醇超声清洗；

(3)物理气相淀积工艺（PECVD）溅射硅铝层，厚度为电路所需的厚度，一般为0.7～4.0μm。

3.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀AlSi的方法，其特征在于：在所述具有AlSi薄膜的硅片上、通过光刻、形成AlSi腐蚀窗口的步骤为：

用涂胶，曝光，显影等常规光刻工艺，去除不需要的光刻胶，留下需要的光刻胶作掩蔽膜形成AlSi腐蚀窗口。

4.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀AlSi的方法，其特征在于：在所述具有AlSi腐蚀窗口的硅片上、通过等离子刻蚀、去除腐蚀窗口区域的AlSi的步骤为：

（1）一台干法刻蚀设备AM8330中，通入Cl₂、BCl₃、CHF₃、CF₄四种气体，加上偏压，利用反应离子工艺程序同时完成腐蚀窗口区域的Al的化学反应去除和Si的物理溅射去除；

（2）从所述干法设备取出硅片后，立即放入200℃的烘箱中烘烤10min至15min之间。

5.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀AlSi的方法，其特征在于：在所述去除腐蚀窗口区域的AlSi的硅片上、去除腐蚀窗口区域残留的硅渣的步骤为：

将从所述烘箱中取出的硅片，放入通有SF₆和O₂的另一台干法刻蚀设备LAM490中，运行去除硅渣程序，去除腐蚀窗口区域残留的硅渣。

6.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀AlSi的方法，其特征在于：在所述去除腐蚀窗口区域残留硅渣的硅片上、去除腐蚀窗口区域残留的聚合物点子的步骤为：

将所述去除腐蚀窗口区域残留的硅渣的硅片运行常规的光刻工艺中正胶显影工艺程序，显影液含2.5%TMAH，去除腐蚀窗口区域残留的聚合物点子。

7.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀AlSi的方法，其特征在于：在所述去除腐蚀窗口区域残留的聚合物点子的硅片上、去除光刻胶的步骤为：

根据工艺设计本身的需要，光刻胶可选择正胶，也可选择负胶；针对不同的光刻胶，去除光刻胶的方法分别为：对于负性光刻胶，先用发烟硝酸湿法去胶，再用含O₂的等离子体、功率800W的干法工艺去胶；对于正性光刻胶，用含O₂的等离子体、功率800W的干法工艺去胶。