[发明专利]FET感测单元及提高其灵敏度的方法有效
| 申请号： | 201410120539.0 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104614430B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 陈东村;黄睿政;温清华;郑钧文;刘怡劭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | fet 单元 提高 灵敏度 方法 | ||
1.一种场效应晶体管感测器件，包括：
第一介电层，位于衬底上方；
有源层，位于所述第一介电层上方；
源极区，位于所述有源层中；
漏极区，位于所述有源层中；
沟道区，位于所述有源层中，介于所述源极区和所述漏极区之间；
感测膜，位于所述沟道区上方；
第二介电层，位于所述有源层上方；
电极，位于所述第二介电层内；以及
流体栅极区，位于所述第二介电层以及所述感测膜上方，其中，所述流体栅极区是腔体，所述电极限定所述腔体的位于所述第二介电层中的侧壁的一部分，所述感测膜限定所述腔体的位于所述第二介电层中的底部。
2.根据权利要求1所述的器件，包括：
第三介电层，位于所述流体栅极区上方。
3.根据权利要求1所述的器件，包括：
一个或多个进口，连接至所述流体栅极区。
4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述电极包括Cu、W、Ti、Ta、Cr、Pt、Ag、Au、TiN、TaN、NiSi和CoSi中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述感测膜包括SiO2、Si3N4、Al2O3、TiO2、HfO2、Ta2O5、TiN、SnO、SnO2、Pt、Cr、Au、Al、W和Cu中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的器件，包括：
受体，设置在所述感测膜上。
7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述受体包括酶、抗体、配体、缩氨酸、核苷酸、器官细胞、生物体和组织片段中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的器件，包括：
第一线，用于将第一器件连接至第二器件，其中，所述第一器件和所述第二器件设置在阵列中。
9.一种场效应晶体管感测器件，包括：
第一介电层，位于衬底上方；
有源层，位于所述第一介电层上方；
源极区，位于所述有源层中；
漏极区，位于所述有源层中；
沟道区，位于所述有源层中，介于所述源极区和所述漏极区之间；
感测膜，位于所述沟道区上方；
第二介电层，位于所述有源层上方，其中，在所述第二介电层中形成开口并且所述感测膜位于所述开口内；
第一电极，位于所述第二介电层内；以及
流体栅极区，位于所述第二介电层上方并且延伸到所述开口中，其中，所述流体栅极区是腔体，所述第一电极限定所述腔体的延伸到所述开口中的侧壁的一部分，所述感测膜限定所述腔体的延伸到所述开口中的底部。
10.根据权利要求9所述的器件，包括：
第二电极，位于所述第二介电层内。
11.根据权利要求9所述的器件，包括：
第三介电层，位于所述流体栅极区上方。
12.根据权利要求9所述的器件，包括：
一个或多个进口，连接至所述流体栅极区。
13.根据权利要求9所述的器件，其中，所述电极包括Cu、W、Ti、Ta、Cr、Pt、Ag、Au、TiN、TaN、NiSi和CoSi中的至少一种。
14.根据权利要求9所述的器件，其中，所述感测膜包括SiO2、Si3N4、Al2O3、TiO2、HfO2、Ta2O5、TiN、SnO、SnO2、Pt、Cr、Au、Al、W和Cu中的至少一种。
15.根据权利要求9所述的器件，包括：
受体，设置于所述感测膜上。
16.根据权利要求15所述的器件，其中，所述受体包括酶、抗体、配体、缩氨酸、核苷酸、器官细胞、生物体和组织片段中的至少一种。
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