[发明专利]一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置

权利要求书

1.一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元，其特征是：所述单元包括Si₃N₄的硅基底（1）、金属Ti/Cu层（2）、聚酰亚胺层（3）、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）和肖特基二级管（5）；所述Si₃N₄的硅基底（1）上设置金属Ti/Cu层（2），所述金属Ti/Cu层（2）分为下电极区和桥箔区，所述下电极区为矩形结构，桥箔区为两端宽中间窄的桥型结构，窄的部分为爆炸箔（6），宽的一端与下电极区相连，所述金属Ti/Cu层（2）上设置聚酰亚胺层（3），所述聚酰亚胺层（3）完全覆盖下电极区及部分桥箔区，使未与下电极区相连的桥箔区宽的一端金属铜层裸露，所述下电极区聚酰亚胺层（3）上设置上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4），上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）上设置肖特基二级管（5），所述下电极区以及设置在其上的聚酰亚胺层（3）、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）和肖特基二级管（5）构成单触发开关单元。

2.根据权利要求1所述的芯片单元，其特征是：所述金属Ti/Cu层（2）由金属钛层和金属铜层构成，上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）由金属钛层、钨层、钛层、铜层以及金层构成。

3.一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元的制备方法，其特征是所述方法包括以下步骤：

第一步，对Si₃N₄的硅基底（1）进行表面清洗，利用光刻剥离工艺和磁控溅射工艺在硅基衬底表面沉积Ti层和Cu层，构成金属Ti/Cu层（2），所述金属Ti/Cu层（2）分为下电极区和桥箔区，所述下电极区为矩形结构，桥箔区为两端宽中间窄的桥型结构，窄的部分为爆炸箔（6），宽的一端与下电极区相连；

第二步，使用聚酰亚胺前驱体原位制备聚酰亚胺层（3)，聚酰亚胺层（3)将直接涂覆在金属Ti/Cu层（2）上，全部覆盖金属Ti/Cu层（2），然后通过多次梯度烘烤固化，得到与金属Ti/Cu层粘附性强的聚酰亚胺层（3）；

第三步，利用干法刻蚀工艺将桥箔区上的聚酰亚胺层（3）部分去除，使未与下电极区相连的桥箔区宽的一端金属铜层裸露；

第四步，利用磁控溅射工艺在下电极区聚酰亚胺层（3）上沉积上电极Ti/W/Ti/Cu/Au；第五步，利用导电银浆将肖特基二极管反向接在上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）上，制备得到肖特基单触发开关集成EFI芯片。

4.根据权利要求3所述的芯片单元的制备方法，其特征是：所述金属Ti/Cu层（2）由金属钛层和金属铜层构成，上电极Ti/W/Ti/Cu/Au（4）由金属钛层、钨层、钛层、铜层以及金层构成。