[发明专利]一种磷灰石型硅酸铽磁光晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种磷灰石型硅酸铽磁光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为：Tb_10-x(SiO₄)₆O_3-1.5x，其中x=0-2，属六方晶系，空间群为                                               。

2.一种制备如权利要求1所述的磷灰石型硅酸铽磁光晶体的方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）初始原料的合成：按Tb_10-x(SiO₄)₆O_3-1.5x化学计量比准确称取Tb₄O₇和SiO₂，将它们研磨均匀、压片，然后进行高温烧结，获得晶体生长所需的初始原料；

（2）单晶生长：将初始原料装入晶体生长的坩埚容器中，放入单晶提拉炉内，使其在惰性气体的气氛下进行单晶提拉，其生长温度为1900～2000℃，生长速度为0.5～2.0mm/h，晶体转速为7～30r/min；

（3）晶体退火；当晶体生长结束后，将晶体提升，高出熔体表面1～3mm，然后缓慢退火至室温，降温速率为5～60℃/h，即得到磷灰石型硅酸铽磁光晶体毛坯。

3.根据权利要求2所述的磷灰石型硅酸铽磁光晶体的制备方法，其特征在于：晶体生长所使用的坩埚容器是由高熔点材料制成，高熔点材料是指熔点在2000℃以上的金属或合金材料。

4.根据权利要求3所述的磷灰石型硅酸铽磁光晶体的制备方法，其特征在于：晶体生长所使用的坩埚容器是铱金坩埚。