[发明专利]一种反射镜结构粗化的AlGaInP反极性发光二极管结构

权利要求书

1.一种反射镜结构粗化的AlGaInP反极性发光二极管结构，其由底部至顶部的结构依次为p电极、衬底、键合层、带有粗化结构的反射镜层、绝缘层、电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、窗口层，n电极。

2.根据权利要求1所述的一种反射镜结构粗化的AlGaInP发光二极管结构，其特征在于，所述带有粗化结构的反射镜层可以选用Au、Ge、Ni、Ti、Al、Ag、Cu、Cr、Be、Pd、Pt材料的单一材料或多个材料的组合，兼顾与电流扩展层的欧姆接触，使用蒸发或溅射的方式制备；覆盖于键合层之上，厚度为0.1μm-10μm，呈现粗化形式，并以开孔的形式穿透绝缘层与电流扩展层直接接触；开孔直径的范围为1-50μm。

3.根据权利要求1所述的一种反射镜结构粗化的AIGaInP反极性发光二极管结构，其特征在于，所述绝缘层可以选用SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、Al₂O₃等绝缘材料，使用CVD或溅射或蒸发方式制备；覆盖于带有粗化结构的反射镜层之上，厚度为0.1μm-5μm，呈现粗化形式。

4.根据权利要求1所述的一种反射镜结构粗化的AlGaInP反极性发光二极管结构，其特征在于，电流扩展层可以是MOCVD技术制备的p-GaP、p-AlInP、p-GaInP、p-GaAs、p-AlAs、p-AlGaAs、p-AlAsP、p-AlGaInP材料，p型掺杂的浓度为1×10¹⁸cm^-3-1×10²¹cm^-3，厚度为0.1μm-10μm；与绝缘层接触一侧的表面带有随机密布的锥状粗化结构，锥状结构的基座尺度范围为0.5μm-20μm，高度范围为0.1μm-10μm。