[发明专利]一种以无机化合物为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池无效
申请号: | 201410121154.6 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN103915567A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 魏调兴;陈鑫;张克难;董文静;张云;孙艳;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无机化合物 空穴 传输 钙钛矿 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池,具体涉及一种以无机化合物为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池。
背景技术
绿色、安全和可再生的太阳能使光伏发电成为解决人类能源危机与环境污染的理想方案。更高的光电转换效率和更低的制造成本是全面推广光伏发电的两个前提条件。因此,兼具高效率和低成本特性的太阳能电池是人们不断追求的目标。
目前,商用太阳能电池市场上占主导地位的硅太阳能电池仍不能满足低成本的要求。科学家和技术人员一直在探索满足高效率和低成本要求的新型太阳能电池。自2009年出现的以具有钙钛矿晶体结构的有机金属卤化物为吸光层的太阳能电池(简称钙钛矿太阳能电池)近年来获得了较快的发展,至2013年其光电转换效率已达到15%,并有望在未来几年突破20%成为具有市场潜力的高效率、低成本太阳能电池。
钙钛矿太阳能电池的结构如图1所示,由透明导电衬底(FTO)和依次层叠于该衬底上的电子传输层(TiO2)、具有钙钛矿晶体结构的吸光层(CH3NH3PbI3-xClx)、空穴传输层(spiro-OMeTAD)和正电极组成。已报道的钙钛矿太阳能电池采用有机物spiro-OMeTAD作为空穴传输层,由于有机物稳定性较差,不能满足电池性能长期稳定的要求。因此,采用稳定性较好的无机半导体作为钙钛矿太阳能电池的空穴传输层对于提高该类太阳能电池的使用寿命具有很大的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种以无机化合物作为钙钛矿太阳能电池空穴传输层的太阳能电池,解决现在钙钛矿太阳能电池存在的性能不稳定的问题。
本发明的设计方案在于该太阳能电池的吸光层与正电极之间的空穴传输层为无机化合物。该钙钛矿太阳能电池包括:透明导电衬底和依次层叠于该衬底上的电子传输层、具有钙钛矿晶体结构的吸光层、无机化合物空穴传输层和正电极。
所述的无机化合物空穴传输层的无机化合物为硫化铜、硫化亚铜、硫化亚铜与碘化亚铜复合(碘化亚铜质量分数5%至95%之间)、硫化亚铜与碘化亚锡复合(碘化亚锡质量分数5%至95%之间)、硒化铜、碲化铜、铜铟硫、铜铟硒、铜镉锡硫、铜镉锡硒、三氧化钨、三氧化钼或五氧化二矾。
所述的无机空穴传输层厚度为1nm至300nm之间。
本发明的优点在于:无机化合物空穴传输层比有机物作为空穴传输层具有更优异的化学稳定性和抗老化能力,能显著提高钙钛矿太阳能电池的使用寿命。
附图说明
图1为本发明的以无机化合物为空穴传输层的钙钛矿太阳能电池结构示意图。1——透明导电衬底,2——电子传输层,3——吸光层,4——空穴传输层,5——正电极。
具体实施方式
实施例1:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电衬底和依次层叠于该衬底上的电子传输层、具有钙钛矿晶体结构的吸光层、厚度为10nm的硫化铜空穴传输层和正电极。
实施例2:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电衬底和依次层叠于该衬底上的电子传输层、具有钙钛矿晶体结构的吸光层、厚度为50nm的硫化亚铜空穴传输层和正电极。
实施例3:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电衬底和依次层叠于该衬底上的电子传输层、具有钙钛矿晶体结构的吸光层、厚度为60nm的硫化亚铜与碘化亚铜复合(碘化亚铜质量分数5%)空穴传输层和正电极。
实施例4:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电衬底和依次层叠于该衬底上的电子传输层、具有钙钛矿晶体结构的吸光层、厚度为60nm的硫化亚铜与碘化亚铜复合(碘化亚铜质量分数95%)空穴传输层和正电极。
实施例5:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电衬底和依次层叠于该衬底上的电子传输层、具有钙钛矿晶体结构的吸光层、厚度为60nm的硫化亚铜与碘化亚铜复合(碘化亚铜质量分数50%)空穴传输层和正电极。
实施例6:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电衬底和依次层叠于该衬底上的电子传输层、具有钙钛矿晶体结构的吸光层、厚度为80nm的硫化亚铜与碘化亚锡复合(碘化亚锡质量分数5%)空穴传输层和正电极。
实施例7:
钙钛矿太阳能电池结构为:透明导电衬底和依次层叠于该衬底上的电子传输层、具有钙钛矿晶体结构的吸光层、厚度为80nm的硫化亚铜与碘化亚锡复合(碘化亚锡质量分数95%)空穴传输层和正电极。
实施例8:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择