[发明专利]冷却腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种冷却腔室，其特征在于，包括基座和基座冷却系统，所述基座设置在所述冷却腔室内，待冷却基片放置在所述基座的上表面上，所述基座冷却系统采用热传导的方式冷却所述基座，以实现所述基座采用热传导的方式冷却所述待冷却基片。

2.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，在所述冷却腔室内还设置有顶针升降装置，所述顶针升降装置用于对所述待冷却基片进行升降，以使所述待冷却基片位于所述基座的上表面上或者远离所述基座的上表面。

3.根据权利要求2所述的冷却腔室，其特征在于，所述顶针升降装置包括至少三个顶针和顶针升降单元，每个所述顶针自所述基座的下表面贯穿至所述基座的上表面，且可在所述基座内进行升降；

所述至少三个顶针用于承载所述待冷却基片；

所述顶针升降单元用于驱动所述至少三个顶针升降，以使所述顶针将位于其上的待冷却基片放置在基座上表面上或者将位于所述基座上表面上的待冷却基片顶起。

4.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，所述基座冷却系统为吸收式制冷系统、热电制冷系统、磁制冷系统、涡流管制冷系统或者蒸汽压缩制冷系统。

5.根据权利要求4所述的冷却腔室，其特征在于，所述蒸汽压缩制冷系统包括膨胀机、压缩机和冷凝器，其中，

所述膨胀机与所述基座的下表面相连接，用以制冷剂在所述膨胀机内膨胀气化吸热来实现对所述基座冷却，并将吸收热量的高温气体排出至所述压缩机；

所述压缩机用于对所述膨胀机排出的高温气体加压，并将加压后的高温高压气体输送至所述冷凝器；

所述冷凝器用于对所述压缩机输送的高温高压气体冷却为所述制冷剂，并将所述制冷剂输送至所述膨胀机内。

6.根据权利要求1所述的冷却腔室，其特征在于，环绕所述冷却腔室的内周壁设置有冷屏，且所述冷屏与所述反应腔室的内周壁之间存在间隙，用以屏蔽所述冷却腔室的内部与外部之间的热量交换。

7.根据权利要求6所述的冷却腔室，其特征在于，所述冷屏的内表面设置有镜面金属涂层。

8.根据权利要求7所述的冷却腔室，其特征在于，所述金属涂层为铝涂层。

9.一种半导体加工设备，包括冷却腔室，所述冷却腔室用于对待冷却基片进行冷却，其特征在于，所述冷却腔室采用权利要求1-8任意一项所述的冷却腔室。