[发明专利]一种ITO粗化的GaN基LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种ITO粗化的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（A）使用电子束蒸发在GaN基LED外延片表面沉积一层ITO作为透明导电层；

（B）将步骤（A）得到的基片置入稀盐酸溶液进行无掩模的湿法腐蚀；

（C）使用去离子水清洗步骤（B）得到的基片后放入烤箱烘烤；

（D）在步骤（C）烘烤后的基片表面涂覆一层增粘剂；

（E）再涂覆一层正性或负性光刻胶，在热板上烘烤后，使用具有微米尺寸结构的光刻掩模版进行普通紫外曝光，并再次在热板上烘烤；

（F）将步骤（E）得到的基片置入显影液中显影；

（G）使用去离子水清洗后放入烤箱烘烤；

（H）再置入稀盐酸溶液进行有掩模的湿法腐蚀；

（I）去除光刻胶后高温退火。

2.如权利要求1所述的一种ITO粗化的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于步骤（A）中所述电子束蒸发工艺为：蒸镀过程氧气流量为1sccm~20sccm，沉积温度为150℃~300℃，ITO的厚度为100nm~1000nm。

3.如权利要求1所述的一种ITO粗化的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于步骤（B）和（H）中所述湿法腐蚀工艺为：盐酸浓度为3wt%~50wt%，腐蚀温度为10℃~80℃，腐蚀时间根据盐酸浓度和腐蚀温度调整，腐蚀时间5sec~60min。

4.如权利要求1所述的一种ITO粗化的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于制备步骤（C）和（G）中烤箱烘烤工艺为：温度为50℃~200℃，烘烤时间为30sec~60min。

5.如权利要求1所述的一种ITO粗化的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于步骤（D）中增粘剂涂覆工艺是真空蒸注技术和旋涂技术中的一种。

6.如权利要求1所述的一种ITO粗化的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于步骤（E）中热板烘烤工艺的烘烤的时间不超过3min，温度不超过120℃。

7.如权利要求1所述的一种ITO粗化的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于，步骤（F）中所述显影工艺中，显影液使用磁力搅拌、循环泵、毛刷辊、人工晃动搅拌方法中的一种以上，显影液温度波动不超过4℃，温度均匀性优于±2℃。

8.如权利要求1所述的一种ITO粗化的GaN基LED芯片的制备方法，其特征在于步骤（I）所述退火工艺是在惰性气氛下进行，退火温度为300℃~800℃，退火时间为3min~60min。

9.由权利要求1~8任一项所述制备方法制得的ITO粗化的GaN基LED芯片。