[发明专利]一种带自动频率校验功能的注入锁定分频结构有效
| 申请号： | 201410121844.1 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103916124A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 虞小鹏;许文林 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H03L7/18 | 分类号： | H03L7/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自动 频率 校验 功能 注入 锁定 分频 结构 | ||
1. 一种带自动频率校验功能的注入锁定分频结构，其特征在于：
包括用于接收预设的输入信号Fin并根据谐振频率对预设的输入信号Fin进行分频产生第一分频信号的注入锁定分频器；
包括用于接收第一分频信号并进行第二次分频产生第二分频信号的数字分频器，第二分频信号作为预设的输出信号Fout；
包括用于将接收到的第二分频信号与参考信号Fref的频率相比较产生数字校验选择信号的自动频率控制器；
包括用于从自动频率控制器接收数字校验选择信号并转化成模拟信号反馈到注入锁定分频器中进行电压VT控制的数字到模拟转换器；
预设的输出信号Fout的频率与参考信号Fref的频率相等；注入锁定分频器、数字分频器和自动频率控制器依次连接，数字到模拟转换器分别与注入锁定分频器、自动频率控制器连接。
2. 根据权利要求1所述的一种带自动频率校验功能的注入锁定分频结构，其特征在于：所述的注入锁定分频器包括电感L1、电容C1、电容C2、MOS管M1和负阻，负阻由MOS管M2和MOS管M3组成；电感L1的两端与电容C1、电容C2串联，电感L1的中间端与电压Vdd相连电容C1和电容C2之间的引出端与控制电压VT相连；电感L1两端分别与MOS管M2、MOS管M3的漏极连接，电感L1两端分别与MOS管M3、MOS管M2的栅极连接，MOS管M3和MOS管M2的源极串联后连接到MOS管M1的漏极上，MOS管M1的栅极与注入信号Vinj相连，MOS管M1的源极接地；电感L1和电容C1之间的引出端为第一输出端RF+，电感L1和电容C2之间的引出端为第二输出端RF-。
3. 根据权利要求1所述的一种带自动频率校验功能的注入锁定分频结构，其特征在于：所述的电容C1、电容C2均为可变电容。
4. 根据权利要求1所述的一种带自动频率校验功能的注入锁定分频结构，其特征在于：所述的MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3均为N型MOS管。
5. 根据权利要求1所述的一种带自动频率校验功能的注入锁定分频结构，其特征在于：所述的注入锁定分频结构用于锁相环中并替代分频器。
6. 根据权利要求1所述的一种带自动频率校验功能的注入锁定分频结构，其特征在于：所述的参考信号Fref由外部的晶体振荡器产生。
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