[发明专利]改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410122362.8 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103871843A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周玉;陈俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 化学 清洗 工艺 造成 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法，包括步骤：
提供晶圆；
采用化学酸液对晶圆表面进行清洗，且晶圆表面改变为疏水性；
采用臭氧对晶圆表面进行处理，将晶圆表面改变为亲水性；
采用去离子水对晶圆表面进行清洗，去除残留在晶圆表面的化学酸液。
2.如权利要求1所述的改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法，其特征在于，所述化学酸液为氢氟酸。
3.如权利要求1所述的改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法，其特征在于，所述臭氧采用喷嘴喷入方式对晶圆表面进行处理。
4.如权利要求3所述的改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法，其特征在于，所述喷嘴沿着晶圆的直径方向以预定速度来回运动。
5.如权利要求4所述的改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法，其特征在于，所述预定速度范围为20mm/s～100mm/s。
6.如权利要求5所述的改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法，其特征在于，所述臭氧流量范围是50L/min～150L/min。
7.如权利要求6所述的改善化学酸液清洗工艺造成缺陷的方法，其特征在于，所述臭氧对晶圆表面进行处理的时间范围是40s～240s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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